| 主权项 |
1.一种适合用于形成光学组件之乾膜,其包括: 载体基板,其具有前表面和后表面; 在该载体基板之前表面上之负型光可成像聚合物 层,其包括光活性成分和式(RSiO1.5)的单元,其中R为 经取代或未经取代的有机基,于每一该单元中,R皆 不含羟基,且该等单元包括式(R1SiO1.5)的单元和式(R 2SiO1.5)的单元,其中R1为经取代或未经取代的脂族 基,且R2为经取代或未经取代的芳族基;及 保护性覆盖层,其系在该载体基板的前表面或后表 面上。 2.如申请专利范围第1项之乾膜,其中该载体基板为 聚合物膜。 3.如申请专利范围第1或2项之乾膜,其中该乾膜系 成卷状构形。 4.如申请专利范围第1至2项中任一项之乾膜,其中 该保护性覆盖层系配置在该载体基板的后表面上 。 5.如申请专利范围第3项之乾膜,其中该保护性覆盖 层系配置在该载体基板的后表面上。 6.一种形成光学装置的方法,该方法包括: (a)在第一基板上施加乾膜,该乾膜包括载体基板和 负型光可成像聚合物层,该光可成像聚合物层包括 光活性成分和式(RSiO1.5)的单元,其中R为经取代或 未经取代的有机基,于每一该单元中,R均不含羟基, 且该等单元包括式(R1SiO15)的单元和式(R2SiO1.5)的单 元,其中R1为经取代或未经取代的脂族基,且R2为经 取代或未经取代的芳族基;及 (b)于(a)之后,将至少一部分的该光可成像聚合物层 暴露于光化辐射。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该光学装置为 光波导,该方法进一步包括将该经曝光的光可成像 聚合物层显影而形成光波导核心结构体。 8.如申请专利范围第7项之方法,其进一步包括在(a) 之前于该第一基板上配置底部包覆层,且在该底部 包覆层和该核心结构体之上配置顶部包覆层。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该底部包覆层 及/或该顶部包覆层系经由在该第一基板上施加个 别的底部包覆乾膜或顶部包覆乾膜而形成,其中该 等乾膜包括载体基板和负型光可成像聚合物层,该 光可成像聚合物层包括式(R3SiO1.5)的单元,其中R3为 经取代或未经取代的有机基。 10.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包括将 该底部包覆乾膜及/或该顶部包覆乾膜暴露于光化 辐射。 11.如申请专利范围第6至10项中任一项之方法,其中 该第一基板为印刷线路基板。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该负型光可 成像聚合物层进一步包括式(R3SiO1.5)的单元,其中R3 为经取代或未经取代的有机基。 13.如申请专利范围第6项之方法,其中该负型光可 成像聚合物层进一步包括式(R3SiO1.5)的单元,其中R3 为经取代或未经取代的有机基。 图式简单说明: 第1A至1C图系说明根据本发明的例示之光学乾膜; 且 第2A至2F图系说明根据本发明具有光学功能性的例 示印刷线路板在其不同形成阶段之图解。 |
