| 主权项 |
1.一种光电封装之晶圆切割制程,其系用于参考座 标之切割,其步骤包括: 提供一第一晶圆,该第一晶圆具有一上表面及一下 表面; 提供一第二晶圆,该第二晶圆具有一上表面及一下 表面; 于该第二晶圆形成一第一平边与一第二平边,该第 二平边系垂直于该第一平边; 压合该第一晶圆于该第二晶圆之上,该第二晶圆之 上表面系面对该第一晶圆之下表面; 提供一第三晶圆,该第三晶圆具有一主动面; 压合该第三晶圆于该第二晶圆之下,该第三晶圆之 主动面系面对该第二晶圆之下表面; 以一第一切割刀依据该第一及第二平边的位置,从 该第一晶圆之该上表面切割该第一晶圆,使该第三 晶圆曝露出来;反 以一第二切割刀依据该第一及第二平边的位置切 割该第三晶圆,使其形成一背切参考座标。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,其中 该第一晶圆系为一玻璃晶圆(glass wafer),且该第一 切割刀为玻璃晶圆用切割刀。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,其中 该第二晶圆系为一介层晶圆(interposer wafer)。 4.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,其中 该第三晶圆系为一CMOS(互补式金氧半导体 Complemetary Metal-Oxide Semiconductor)晶圆(CMOS wafer),且该 第二切割刀为CMOS晶圆用切割刀。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,其中 该压合该第一晶圆于该第二晶圆系为热压合制程 。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,其中 该压合该第三晶圆于该第二晶圆系为热压合制程 。 7.如申请专利范围第1项所述之晶圆切割制程,于该 第二晶圆形成一第一平边与一第二平边之步骤系 利用蚀刻制程。 图式简单说明: 第1A图、第1B图系先前技术之光电封装晶圆切割参 考座标之切割方法示意图。 第2A图、第2B图系本发明较佳实施例之第二晶圆形 成参考平边之平面示意图。 第3A图、第3B图、第3C图、第3D图、第3E图及第3F图 系本发明较佳实施例之光电封装晶圆之切割制程 示意图。 |
