| 主权项 |
1.一种膜图案之形成方法,为藉由将第1机能液配置 在基板上,形成膜图案之方法,其特征为:具备有: 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在上述挡堤间之沟上,设置由多孔体所形成之接收 膜的工程;和 在上述接收膜上配置上述第1机能液之工程。 2.如申请专利范围第1项所记载之膜图案之形成方 法,其中,设置上述接收膜之工程,是包含有: 在上述沟配置第2机能液的工程;和 对被配置在上述沟之上述第2机能液执行特定处理 ,并将上述第2机能液变换成上述接收膜的工程, 在上述接收膜上配置上述第1机能液。 3.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述特定处理是包含相对于被配置在上 述沟之上述第2机能液的热处理,藉由该热处理形 成由多孔体所形成之接收膜。 4.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,配置上述第2机能液之工程使用液体吐出 法。 5.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,在上述基板上,藉由上述挡堤形成具有第1 宽之第1沟,并且形成连接于上述第1沟,具有第2宽 的第2沟, 在上述第1沟配置上述第2机能液,依据被配置在上 述第1沟之上述第2机能液的自行流动而将该第2机 能液配置在上述第2沟上, 将上述第2机能液变换成上述接收膜之后,在上述 接收膜上配置上述第1机能液。 6.如申请专利范围第5项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述第2宽为上述第1宽以下。 7.如申请专利范围第5项所记载之膜图案之形成方 法,其中,在上述第1沟配置上述第1机能液,依据被 配置在上述第1沟之上述机能液之自行流动而将该 第1机能液配置在上述第2沟上。 8.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,在上述基板上,藉由上述挡堤形成延伸于 第1方向的第1沟,并且形成连接于上述第1沟,延伸 于第2方向的第2沟, 在上述第1沟配置上述第2机能液,依据上述第2机能 液之自行流动而将该第2机能液配置在上述第2沟, 将上述第2机能液变换成上述接收膜之后,在上述 接收膜上配置上述第1机能液。 9.如申请专利范围第8项所记载之膜图案之形成方 法,其中,在上述第1沟配置上述第1机能液,依据被 配置在上述第1沟之上述第1机能液之自行流动而 将该第1机能液配置在上述第2沟。 10.如申请专利范围第1项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述第1机能液是包含导电性微粒子。 11.如申请专利范围第1项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述第1机能液是包含藉由热处理或是光 处理而显现出导电性的材料。 12.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述第1机能液及上述第2机能液为略相同 之液体。 13.如申请专利范围第2项所记载之膜图案之形成方 法,其中,上述第1机能液及上述第2机能液为互相不 同之液体。 14.如申请专利范围第1项所液载之膜图案之形成方 法,其中,配置上述第1机能液之工程使用液体吐出 法。 15.一种装置之制造方法,其特征为: 具有藉由在基板上配置第1机能液,形成膜图案之 工程,上述形成膜图案之工程,是具有 在上述基板上形成具有特定挡堤(Bank)之工程; 在上述挡堤间之沟,设置由多孔体所构成之接收膜 的工程;和 在上述接收膜配置上述第1机能液的工程。 16.一种膜图案之形成方法,为藉由将第1机能液配 置在基板上,形成膜图案之方法,具备有 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟上配置第2机能液, 并且在连接于上述第1沟之第2沟上,藉由被配置在 上述第1沟之上述第2机能液的自行流动而配置该 第2机能液的工程; 对被配置在上述第1及第2沟之第2机能液执行特定 处理,将上述第2机能液变换成膜的工程;和 在上述膜上配置上述第1机能液之工程。 17.如申请专利范围第16项所记载之膜图案之形成 方法,其中,上述特定处理是包含将被配置在上述 第1及第2沟上之第2机能液,变换成相对于上述第1 机能液具有接收性的接收膜的处理。 18.如申请专利范围第16项所记载之膜图案之形成 方法,其中,在上述第1沟中连接该第1沟和上述第2 沟之连接部以外的位置上,设置堤防部,在上述连 接部和上述堤防部之间配置上述第2机能液。 19.如申请专利范围第16项所记载之膜图案之形成 方法,其中,上述第1沟和上述第2沟为不同宽度。 20.如申请专利范围第19项所记载之膜图案之形成 方法,其中,上述第2沟之宽度为上述第1沟之宽度以 下。 21.如申请专利范围第16项所记载之膜图案之形成 方法,其中,上述第1沟和上述第2沟是被形成互相延 伸于不同方向上。 22.一种装置之制造方法,其特征为: 具有藉由在基板上配置第1机能液,形成膜图案之 工程,上述形成膜图案之工程,是具有 在上述基板上形成具有特定挡堤(Bank)之工程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟上配置第2机能液, 并且在连接于上述第1沟之第2沟上,藉由被配置于 上述第1沟之上述第2机能液的自行流动配置该第2 机能液的工程; 对被配置在上述第1及第2沟之第2机能液,执行特定 处理,将上述第2机能液变换成膜的工程;和 在上述膜上配置上述第1机能液的工程。 23.一种膜图案之形成方法,为藉由在基板上配置机 能液,形成膜图案之方法,其特征为:具备有: 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟及连接于上述第1 沟并具有比该第1沟窄之宽度的第2沟中至少第2沟 上,设置相对于上述机能液具有接收性之接收膜的 工程;和 由上述第2沟之上方供给上述机能液,在设置有上 述接收膜之上述第2沟配置上述机能液的工程。 24.一种装置之制造方法,其特征为: 具有藉由在基板上配置机能液,形成膜图案之工程 ,上述形成膜图案之工程,是具有 在上述基板上形成具有特定挡堤(Bank)之工程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟及连接于上述第1 沟并具有比该第1沟窄之宽度的第2沟中至少第2沟 上,设置相对于上述机能液具有接收性之接收膜的 工程; 由上述第2沟之上方供给上述机能液,在设置有上 述接收膜之上述第2沟配置上述机能液的工程。 25.一种主动矩阵基板之制造方法,其特征为:具备 有: 在基板上形成闸极配线之第1工程; 在上述闸极配线上形成闸极绝缘膜之第2工程; 经由上述闸极绝缘膜叠层半导体层之第3工程; 在上述闸极绝缘层上形成源极电极及汲极电极的 第4工程; 在上述源极电极及上述汲极电极上配置绝缘材料 的第5工程;和 形成与上述汲极电极电性连接之画素电极的第6工 程, 上述第1工程及上述第4工程及上述第6工程之至少 一个工程是具有: 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在上述挡堤间之沟上,设置由多孔体所形成之接收 膜的工程;和 在上述接收膜上配置上述机能液之工程。 26.一种主动矩阵基板之制造方法,其特征为:具备 有: 在基板上形成闸极配线之第1工程; 在上述闸极配线上形成闸极绝缘膜之第2工程; 经由上述闸极绝缘膜叠层半导体层之第3工程; 在上述闸极绝缘层上形成源极电极及汲极电极的 第4工程; 在上述源极电极及上述汲极电极上配置绝缘材料 的第5工程;和 形成与上述汲极电极电性连接之画素电极的第6工 程, 上述第1工程及上述第4工程及上述第6工程之至少 一个工程是具有: 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟上配置第2机能液, 并且在连接于上述第1沟之第2沟上,藉由被配置在 上述第1沟之上述第2机能液的自行流动而配置该 第2机能液的工程; 对被配置在上述第1及第2沟之第2机能液执行特定 处理,将上述第2机能液变换成膜的工程;和 在上述膜上配置第1机能液之工程。 27.一种主动矩阵基板之制造方法,其特征为:具备 有: 在基板上形成闸极配线之第1工程; 在上述闸极配线上形成闸极绝缘膜之第2工程; 经由上述闸极绝缘膜叠层半导体层之第3工程; 在上述闸极绝缘层上形成源极电极及汲极电极的 第4工程; 在上述源极电极及上述汲极电极上配置绝缘材料 的第5工程;和 形成与上述汲极电极电性连接之画素电极的第6工 程, 上述第1工程及上述第4工程及上述第6工程之至少 一个工程是具有: 在上述基板上形成具有特定图案之挡堤(Bank)的工 程; 在藉由上述挡堤所形成之第1沟及连接于上述第1 沟并具有比该第1沟窄之宽度的第2沟中至少第2沟 上,设置相对于机能液具有接收性之接收膜的工程 ;和 由上述第2沟之上方供给上述机能液,在设置有上 述接收膜之上述第2沟配置上述机能液的工程。 图式简单说明: 第1图是表示液滴吐出装置概略斜视图。 第2图是用以说明压电方式之液体材料吐出原理的 图式。 第3图是表示本发明之膜图案之形成方法之一实施 形态的流程图。 第4图A~第4图D是表示本发明之形成膜图案之顺序 例的模式图。 第5图A~第5图D是表示.本发明之形成膜图案之顺序 例的模式图。 第6图是用以说明本发明之膜图案之形成方法之作 用的模式图。 第7图A及第7图B是用以说明实验结果之一例的表及 图式。 第8图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外实 施形态的模式图。 第9图A~第9图C是表示本发明之膜图案之形成方法 之另外实施形态的模式图。 第10图A~第10图C是表示本发明之膜图案之形成方法 之另外实施形态的模式图。 第11图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第12图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第13图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第14图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第15图A及第15图B是表示本发明之膜图案之形成方 法之另外实施形态的模式图。 第16图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第17图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第18图是表示本发明之膜图案之形成方法之另外 实施形态的模式图。 第19图是表示具有薄膜电晶体之基板之一例的模 式图。 第20图是用以说明制造薄膜电晶体之工程的图式 。 第21图是用以说明制造薄膜电晶体之工程的图式 。 第22图是用以说明制造薄膜电晶体之工程的图式 。 第23图是用以说明制造薄膜电晶体之工程的图式 。 第24图是由对向基板侧观看液晶显示装置时之平 面图。 第25图是延着第24图之H-H'线的剖面图。 第26图是液晶显示装置之等效电路图。 第27图是液晶显示装置之部分放大剖面图。 第28图是有机电激发光装置之部分放大剖面图。 第29图是电浆型显示装置之分解斜视图 第30图是表示液晶显示装置之另一形态的图示。 第31图是非接触型卡媒体之分解斜视图。 第32图A~第32图C是表示本发明之电子机器的具体例 之图式。 |
