发明名称 多材料表面之连续等高抛光
摘要 本发明提供一种化学-机械抛光垫及藉由使用一抛光垫抛光一基板之方法,该抛光垫包括:(a)一弹性子垫及(b)一大体与该弹性子垫共同延伸之聚合抛光薄膜,其中该聚合抛光薄膜包括:(i)一大体无结合之研磨颗粒之抛光表面及(ii)一可释放地与该弹性子垫相关联之背表面。
申请公布号 TWI293267 申请公布日期 2008.02.11
申请号 TW094119753 申请日期 2005.06.15
申请人 卡博特微电子公司 发明人 J 史考特 史代肯来得;盖瑞W 史奈得
分类号 B24B5/00(2006.01);B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 B24B5/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种化学-机械抛光垫,其包括: (a)一弹性子垫;及 (b)一大体与该弹性子垫共同延伸之聚合抛光薄膜, 其中该聚合抛光薄膜包括:(i)一大体无结合之研磨 颗粒之抛光表面及(ii)一可释放地与该弹性子垫相 关联之背表面。 2.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之肖氏 (Shore)A硬度为50至100。 3.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜大体未 经填充。 4.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之该背 表面系未使用一黏接剂化合物而可释放地与该弹 性子垫相关联。 5.如请求项4之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之该背 表面系藉由静电相互作用而可释放地与该弹性子 垫相关联。 6.如请求项4之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之该背 表面系藉由一真空而可释放地与该弹性子垫相关 联。 7.如请求项4之抛光垫,其进一步包括一定位于该聚 合抛光薄膜之该背表面与该弹性子垫之间之非黏 接剂液体介质,其中该聚合抛光薄膜之该背表面系 藉由毛细管力而可释放地与该弹性子垫相关联。 8.如请求项7之抛光垫,其中该非黏接剂液体介质为 一抛光组合物。 9.如请求项1之抛光垫,其中该抛光垫进一步包括一 定位于该聚合抛光薄膜之该背表面与该弹性子垫 之间之黏接剂化合物,其中该黏接剂化合物仅位于 在抛光期间未使用之该抛光表面之一或多个区域 之下方所安置的该子垫的一或多个区域上。 10.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜包括 一选自由聚碳酸酯、聚酯、耐纶(nylon)、聚氯乙烯 及其组合组成之群的材料。 11.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之该 抛光表面之表面粗糙度(Ra)为0.5m或更大。 12.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之厚 度为0.3 mm或更小。 13.如请求项1之抛光垫,其中该弹性子垫之厚度为0. 1 mm或更大。 14.如请求项1之抛光垫,其中该聚合抛光薄膜之厚 度为该聚合抛光薄膜与该子垫之联合厚度的50%或 更小。 15.如请求项1之抛光垫,其中该弹性子垫之肖氏A硬 度为100或更小。 16.如请求项1之抛光垫,其中该弹性子垫之肖氏A硬 度为该聚合抛光薄膜之肖氏A硬度的10-100%。 17.如请求项1之抛光垫,其中该弹性子垫包括聚胺 基甲酸酯。 18.一种抛光一包括一弯曲表面之基板之方法,该方 法包括: (a)提供一包括一弹性子垫及一大体与该弹性子垫 共同延伸之第一聚合抛光薄膜的抛光垫,其中该第 一聚合抛光薄膜包括:(i)一大体无结合之研磨颗粒 之抛光表面及(ii)一可释放地与该弹性子垫相关联 之背表面; (b)将该第一聚合抛光薄膜之该抛光表面与一第一 基板接触;及 (c)相对于该第一基板移动该抛光垫以抛光该第一 基板之至少一部分。 19.如请求项18之方法,其进一步包括以下步骤: (a)使该第一聚合抛光薄膜之该抛光表面与该第一 基板中断接触; (b)自该弹性子垫移除该第一聚合抛光薄膜;及 (c)使一第二聚合抛光薄膜与该弹性子垫相关联以 形成一第二抛光垫。 20.如请求项19之方法,其中该第二聚合抛光薄膜之 组成与该第一聚合抛光薄膜之组成相同。 21.如请求项19之方法,其中该第二聚合抛光薄膜之 组成与该第一聚合抛光薄膜之组成不同。 22.如请求项19之方法,其进一步包括以下步骤: (a)将该第二聚合抛光薄膜与该第一基板接触;及 (b)相对于该第一基板移动该第二抛光垫以连续抛 光该第一基板之至少一部分。 23.如请求项19之方法,其进一步包括以下步骤: (a)将该第二聚合抛光薄膜与一第二基板接触;及 (b)相对于该第二基板移动该第二抛光垫以抛光该 第二基板之至少一部分。 24.如请求项18之方法,其中相对于该基板移动该抛 光垫系经由旋转及/或振荡该抛光垫而达成。 25.如请求项18之方法,其中当该第一聚合抛光薄膜 之该抛光表面与该第一基板接触时,该聚合抛光薄 膜凭藉该弹性子垫而偏斜。 26.如请求项18之方法,其中该第一基板之该表面相 对于该第一聚合抛光薄膜之该抛光表面大体成直 角地受按压。 27.如请求项18之方法,其中两种或两种以上材料曝 露于该第一基板之该表面上。 28.如请求项18之方法,其中该方法于该基板上产生 一大体非平面之表面。 29.如请求项18之方法,其中该第一基板包括一光纤 。 30.如请求项23之方法,其中该第二基板包括一光纤 。 31.如请求项18之方法,其进一步包括将一抛光组合 物供应至该第一基板及/或该第一聚合抛光薄膜之 该抛光表面。 32.如请求项31之方法,其中该抛光组合物包括一液 体载剂、研磨颗粒及至少一种选自由氧化剂、错 合剂、腐蚀抑制剂、界面活性剂、成膜剂及其组 合组成之群的添加剂。 33.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 该背表面系未使用一黏接剂化合物而可释放地与 该弹性子垫相关联。 34.如请求项33之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 该背表面系藉由静电相互作用而可释放地与该弹 性子垫相关联。 35.如请求项33之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 该背表面系藉由一真空而可释放地与该弹性子垫 相关联。 36.如请求项33之方法,其中将该抛光组合物之一部 分插入该弹性子垫与该第一聚合抛光薄膜之该背 表面之间,且该第一聚合抛光薄膜之该背表面系藉 由毛细管力而可释放地与该弹性子垫相关联。 37.如请求项18之方法,其中该抛光垫进一步包括一 定位于该第一聚合抛光薄膜之该背表面与该弹性 子垫之间之黏接剂化合物,其中该黏接剂化合物仅 位于在抛光期间未直接接触该第一基板之该抛光 表面之一或多个区域之下方所安置的该子垫的一 或多个区域中。 38.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜包 括一选自由聚碳酸酯、聚酯、耐纶、聚氯乙烯及 其组合组成之群的材料。 39.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 该抛光表面之表面粗糙度(Ra)为0.5m或更大。 40.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 肖氏A硬度为50至100。 41.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜大 体未经填充。 42.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 厚度为0.3 mm或更小。 43.如请求项18之方法,其中该弹性子垫之厚度为0.1 mm或更大。 44.如请求项18之方法,其中该第一聚合抛光薄膜之 厚度为该聚合抛光薄膜与该子垫之联合厚度的50% 或更小。 45.如请求项18之方法,其中该弹性子垫之肖氏A硬度 为100或更小。 46.如请求项18之方法,其中该弹性子垫之肖氏A硬度 为该第一聚合抛光薄膜之肖氏A硬度的10-100%。 47.如请求项18之方法,其中该弹性子垫包括聚胺基 甲酸酯。
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