| 主权项 |
1.一种高分子材料与晶片之局部接合结构,包含: 一基板,系将电路元件布局于该基板; 一高分子材料层,系形成于该基板之上:以及 一金属导线,系为极细之该金属导线作为一加热导 体布局于该基板周围,并利用电流产生一适当的温 度,使得该高分子材料层与该基板可瞬间完成局部 密封接合,以不影响内部电路元件。 2.如申请专利范围第1项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,该金属导线系为一曲折状以增加 电流密度。 3.如申请专利范围第1项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置, 以限制温度升高的范围达到局部加热的效应。 4.如申请专利范围第2项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置, 以限制温度升高的范围达到局部加热的效应。 5.如申请专利范围第1项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,该高分子材料层能在低温下系以 旋涂(spin-coating)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)其中之一制作。 6.如申请专利范围第1项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,该基板系为矽(Silicon, Si)、砷化 镓(Gallium Arsenide, GaAs)、碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、 氮化镓(Gallium Nitride, GaN)以及蓝宝石(Sapphire)其中 之一。 7.如申请专利范围第1项所述之高分子材料与晶片 之局部接合结构,系应用于生医检测以及流体控制 。 8.一种空腔体与晶片之局部接合结构,包含: 一基板,系将电路元件布局于该基板; 一空腔体,系利用一高分子材料层形成于该基板之 上;以及 一金属导线,系为极细之该金属导线作为一加热导 体布局于该基板周围,并利用电流产生一适当的温 度,使得该高分子材料层与该基板可瞬间完成局部 密封接合,使得该基板内的电路可以自由运作。 9.如申请专利范围第8项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,该金属导线系为一曲折状以增加电流 密度。 10.如申请专利范围第8项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置,以限 制温度升高的范围达到局部加热的效应。 11.如申请专利范围第9项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置,以限 制温度升高的范围达到局部加热的效应。 12.如申请专利范围第8项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,该高分子材料层能在低温下系以旋涂 (spin-coating)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)其中之一制作。 13.如申请专利范围第8项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,该基板系为矽(Silicon, Si)、砷化镓( Gallium Arsenide, GaAs)、碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、氮 化镓(Gallium Nitride, GaN)以及蓝宝石(Sapphire)其中之 一。 14.如申请专利范围第8项所述之空腔体与晶片之局 部接合结构,系应用于惯性感测器、压力感测器以 及流体控制。 15.一种多层金属与晶片之局部接合结构,包含: 一基板,系将电路元件布局于该基板; 一金属导线;系为多层金属的制程方式;以及 一高分子材料层,系形成于该基板之上、下相对位 置,并包覆该金属导线形成上下连接的电感形态, 利用电流产生一适当的温度,使得该高分子材料层 与该基板可瞬间完成局部密封接合。 16.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,该金属导线系为一曲折状以增加 电流密度。 17.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置, 以限制温度升高的范围达到局部加热的效应。 18.如申请专利范围第16项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置, 以限制温度升高的范围达到局部加热的效应。 19.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,该局部接合结构系可利用外部磁 场或外部电感达到局部瞬间结合。 20.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,该高分子材料层能在低温下系以 旋涂(spin-coating)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)其中之一制作。 21.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,该基板系为矽(Silicon, Si)、砷化 镓(Gallium Arsenide, GaAs)、碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、 氮化镓(Gallium Nitride, GaN)以及蓝宝石(Sapphire)其中 之一。 22.如申请专利范围第15项所述之多层金属与晶片 之局部接合结构,系应用于生医检测以及流体控制 。 23.一种高分子材料与晶片之局部接合结构,包含: 一基板; 一高分子材料层,系形成于该基板之上;以及 一金属层,系利用该基板之该金属层作为一加热导 体,促使该高分子材料层与该基板瞬间完成局部密 封接合,以不影响内部电路元件。 24.如申请专利范围第23项所述之高分子材料与晶 片之局部接合结构,系利用该金属导线的摆放位置 ,以限制温度升高的范围达到局部加热的效应。 25.如申请专利范围第23项所述之高分子材料与晶 片之局部接合结构,该高分子材料能在低温下系以 旋涂(spin-coating)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)其中之一制作。 26.如申请专利范围第23项所述之高分子材料与晶 片之局部接合结构,该基板系为矽(Silicon, Si)、砷 化镓(Gallium Arsenide, GaAs)、碳化矽(Silicon Carbide, SiC) 、氮化镓(Gallium Nitride, GaN)以及蓝宝石(Sapphire)其 中之一。 27.如申请专利范围第23项所述之高分子材料与晶 片之局部接合结构,系应用于生医检测以及流体控 制。 图式简单说明: 第1A~1B图习知晶片直接接合法之示意图。 第2A图系为习知光阻层接合法之示意图。 第2B图系为习知光阻层接合完成后之示意图。 第3A图系为本发明较佳实施例之晶片局部接合结 构之分解图。 第3B图系为本发明较佳实施例之局部晶片结构之 上视图。 第3C图系为本发明之空腔体示意图。 第3D图系为本发明之多层金属结构之示意图。 |
