| 主权项 |
1.一种配线基材,系包含:基材;以及 构成埋入设置于前述基材之凹部而形成之配线的 金属膜, 前述金属膜系包含:以覆盖前述凹部之侧壁的方式 形成之第一金属膜;以覆盖前述第一金属膜的方式 形成之金属氧化膜;以及设置于前述金属氧化膜上 之第二金属膜。 2.如申请专利范围第1项之配线基材,其中,前述第 一金属膜与前述第二金属膜系由铜构成。 3.如申请专利范围第1项之配线基材,其中,前述金 属氧化膜系为使前述第一金属膜氧化之膜。 4.如申请专利范围第2项之配线基材,其中,前述金 属氧化膜系为使前述第一金属膜氧化之膜。 5.如申请专利范围第1项之配线基材,其中,前述基 材系为绝缘树脂膜。 6.如申请专利范围第2项之配线基材,其中,前述基 材系为绝缘树脂膜。 7.如申请专利范围第3项之配线基材,其中,前述基 材系为绝缘树脂膜。 8.如申请专利范围第4项之配线基材,其中,前述基 材系为绝缘树脂膜。 9.一种配线基材的制造方法,系包含: 于基材形成凹部的步骤; 以覆盖前述凹部之侧壁的方式形成第一金属膜的 步骤; 使前述第一金属膜表面氧化而于前述第一金属膜 上形成氧化金属膜的步骤;以及 于前述氧化金属膜上形成第二金属膜的步骤。 10.如申请专利范围第9项之配线基材的制造方法, 其中,前述第一金属膜及前述第二金属膜系由铜构 成。 图式简单说明: 第1A图至第1F图系表示本发明实施形态之配线基材 的制造顺序之步骤剖视图。 第2图系详细表示以第1A图至第1F图所示之顺序制 造之导通体的构造之剖视图。 第3图系表示包含以第1A图至第1F图所示之顺序制 造之配线基材之半导体装置的剖视图。 第4图系表示实施例之导通体的剖视图。 第5图系表示扩大在第4图的虚线包围之部分的TEM 照片之图。 第6图系表示实施例之剥离强度的测定结果之图。 |
