| 主权项 |
1.一种半导体晶圆,包含 多条第一晶圆切割线,沿着两互相垂直之方向延伸 ,该第一晶圆切割线具有一第一宽度,且将该半导 体晶圆分成多个区域; 多条第二晶圆切割线,具有一小于该第一宽度之第 二宽度,该第二晶圆切割线将该区域分成多个半导 体晶片区域;一电极垫片,沿着该晶片区域之边缘 而形成;及 一含金属辅助图案,配置于该晶圆切割线中, 其中,在该第二晶圆切割线中,该含金属辅助图案 至少不存在于邻近该半导体晶片区域中之具有该 电极垫片之边缘之一区域的最外层表面。 2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该含金 属辅助图案不存在于该第二晶圆切割线中。 3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该含金 属辅助图案系形成于该第二晶圆切割线彼此交叉 之区域中。 4.如申请专利范围第3项之半导体晶圆,其中该含金 属辅助图案为一对准标记。 5.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该第一 宽度为60m至120m,两者皆包含在内,且第二宽度 为小于60m。 6.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中多个该 含金属辅助图案系在两交叉第一晶圆切割线中以 十字形方式来配置。 7.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,更进一步包 含多条第三晶圆切割线,具有一大于该第一宽度之 第三宽度,其中一含金属辅助图案系形成于该第三 晶圆切割线中。 8.如申请专利范围第7项之半导体晶圆,其中该第一 宽度为60m至120m,两者皆包含在内,该第二宽度 为小于60m,且该第三宽度为大于120m。 9.一种半导体装置之制造方法,包含以下步骤: 制备如申请专利范围第1至8项之任一项所述之半 导体晶圆;及 以一雷射光束来照射,于该第二晶圆切割线中形成 一沟槽;并以一刀刃来切割该第一晶圆切割线与该 第二晶圆切割线; 其中,至少该第一晶圆切割线之除了与该第二晶圆 切割线交叉处以外的部分不以该雷射光束照射。 10.一种半导体装置之制造方法,包含以下步骤: 制备如申请专利范围第4项之半导体晶圆; 藉由雷射照射而于除了对准标记外之该第二晶圆 切割线中形成一沟槽;及 以一刀刃切割该第一晶圆切割线与该第二晶圆切 割线。 图式简单说明: 图1为根据先前技术之一半导体晶圆之平面示意图 。 图2为图1之部分放大图。 图3显示在习用切哥方法中之雷射照射制程。 图4显示图3中之切割后之半导体晶圆。 图5为范例1中之半导体晶圆之平面示意图。 图6为图5之部分放大图。 图7显示根据本发明之制程中之雷射照射制程。 图8显示根据本发明之制程中之雷射照射制程。 图9显示图7与8中之切割后之半导体晶圆。 图10A为沿图7之线A-A'切开所得之横剖面图。 图10B为沿图7之线A-A'切开所得之横剖面图。 图11A为沿图8之线B-B'切开所得之横剖面图。 图11B为沿图8之线B-B'切开所得之横剖面图。 图12A为图10A与11A中之切割后之半导体晶圆的横剖 面图。 图12B为图10B与11B中之切割后之半导体晶圆的横剖 面图。 图13为范例2中之半导体晶圆之部分放大图。 图14为范例3中之半导体晶圆之部分放大图。 图15显示图14中之切割后之半导体晶圆的部分放大 图。 图16为范例4中之半导体晶圆之部分放大图。 图17说明将TEG排列成十字形之优点。 |
