| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,包括: 于一矽材料上形成一图案化光阻层; 在一蚀刻机台中,以该图案化光阻层为罩幕,利用 溴化氢作为反应气体对该矽材料进行一蚀刻制程; 以一阶梯式降压(ramp-down)的方式关闭该蚀刻机台 的射频电源(RF power),并在该蚀刻机台中通入一冲 净气体进行冲净(purge),同时对该蚀刻机台进行抽 气;以及 移除该图案化光阻层。 2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该冲 净气体为钝气、氮气、氧气或钝气与氧气、氮气 的组合。 3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该矽 材料为矽基底或矽材料层。 4.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该矽 材料的材质为单晶矽、磊晶矽、多晶矽或非晶矽 。 5.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该阶 梯式降压的方式为在一特定时间内将射频电源从 一特定射频电源降至0W而进行关闭。 6.如申请专利范围第5项所述之蚀刻方法,其中该特 定时间为5秒内。 7.如申请专利范围第5项所述之蚀刻方法,其中该特 定射频电源为对该矽材料进行该蚀刻制程时所设 定之射频电源。 8.一种开口的形成方法,包括: 提供一基底,该基底上已依序形成有一介电层及一 图案化矽材料层,而该介电层中已形成有由该图案 化矽材料层所定义的一第一开口,且该第一开口中 已填满一光阻材料层; 于该图案化矽材料层上形成一图案化光阻层,该图 案化光阻层具有一光阻开口,该光阻开口位于部份 该图案化矽材料层及该第一开口上方; 以该图案化光阻层为罩幕,利用溴化氢作为反应气 体对该图案化矽材料层进行一第一蚀刻制程,以暴 露出部份该介电层; 在一蚀刻机台中,对该光阻材料层进行一氧电浆处 理制程,以移除该第一开口中的部份该光阻材料层 ; 以一阶梯式降压的方式关闭该蚀刻机台的射频电 源,并在该蚀刻机台中通入一冲净气体进行冲净, 同时对该蚀刻机台进行抽气; 以该图案化光阻层及经蚀刻后的该图案化矽材料 层为罩幕,对所暴露出的该介电层进行一第二蚀刻 制程;以及 移除该图案化光阻层及该光阻材料层。 9.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法,其 中该冲净气体为钝气、氮气、氧气或钝气与氧气 、氮气的组合。 10.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法, 其中该图案化矽材料层的材质包括多晶矽。 11.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法, 其中该阶梯式降压的方式为在一特定时间内将射 频电源从一特定射频电源降至0W而进行关闭。 12.如申请专利范围第11项所述之开口的形成方法, 其中该特定时间为5秒内。 13.如申请专利范围第11项所述之开口的形成方法, 其中该特定射频电源为对该光阻材料层进行该氧 电浆处理制程时所设定之射频电源。 14.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法, 其中该介电层的材质包括氧化矽。 15.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法, 其中于该图案化光阻层形成之前,更包括于该基底 上形成一抗反射层,且该抗反射层覆盖于该图案化 矽材料层及该光阻材料层上。 16.如申请专利范围第8项所述之开口的形成方法, 其中于该基底包括矽基底。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明一实施例之开口的剖面图。 图2A~图2C所绘示为本发明另一实施例之开口的剖 面图。 |
