发明名称 基板加热装置及其制造方法
摘要 〔课题〕 于接合有管状构件之基板加热装置中,能使基板表面温度均热化。〔解决手段〕 具有于上表面载置基板之加热面,而且,具备埋设有电阻发热体之板状陶瓷基体、及接合于陶瓷基体下表面,于内部连接到电阻发热体端子之供电棒的基板加热装置中,加热面被加工成最高,愈接近周边部则愈低的凸面形状。藉由上述加热面之形状,于部提高对基板的实质性传热效率,补偿因为对管状构件传热而使加热面部温度降低之影响,能使基板表面温度均热化。
申请公布号 TWI293183 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW093128679 申请日期 2004.09.22
申请人 ?子股份有限公司 发明人 近藤畅之;鹤田英芳
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种基板加热装置,包括: 陶瓷基体,呈板状,具有一面载置基板的加热面; 电阻加热体,埋设于陶瓷基体;以及 管状构件,接合于陶瓷基体另一面中央; 其特征在于: 具有埋设于陶瓷基体内加热面与电阻加热体之间 的面状电极,该面状电极系由金属实体所形成网目 状,或者,开有多数孔的板状电极; 更具有吸附机构,将基板吸附于加热面而使该基板 直接接触于加热面而加热,加热面系具有中央最高 ,愈接近周边部则愈低的凸面形状。 2.如申请专利范围第1项所述之基板加热装置,其中 ,而且于加热面具有真空夹头用孔,透过真空夹头 用孔,能使基板吸着固定于加热面。 3.如申请专利范围第1项所述之基板加热装置,其中 ,该吸附机构为一静电夹头。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之基板加 热装置,其中,加热面之中央部高度(Hc)与加热面端 部处高度(He)之差値H系50m以下。 5.如申请专利范围第4项所述之基板加热装置,其中 ,H系10m以上。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之基板加 热装置,其中,陶瓷基体,系以由氮化铝、氮化矽、 碳化矽、矽铝氧化氮陶瓷(sialon)所构成群组中择 一之非氧化物陶瓷,或者,由前述群组中选择至少 两者以上所组成之非氧化物陶瓷复合材为主成分 。 7.如申请专利范围第4项所述之基板加热装置,其中 ,陶瓷基体,系以由氮化铝、氮化矽、碳化矽、矽 铝氧化氮陶瓷(sialon)所构成群组中择一之非氧化 物陶瓷,或者,由前述群组中选择至少两者以上所 组成之非氧化物陶瓷复合材为主成分。 8.如申请专利范围第5项所述之基板加热装置,其中 ,陶瓷基体,系以由氮化铝、氮化矽、碳化矽、矽 铝氧化氮陶瓷(sialon)所构成群组中择一之非氧化 物陶瓷,或者,由前述群组中选择至少两者以上所 组成之非氧化物陶瓷复合材为主成分。 9.如申请专利范围第6项所述之基板加热装置,其中 ,管状构件系以与陶瓷基体主成分同一材料为主成 分。 10.如申请专利范围第7项所述之基板加热装置,其 中,管状构件系以与陶瓷基体主成分同一材料为主 成分。 11.如申请专利范围第8项所述之基板加热装置,其 中,管状构件系以与陶瓷基体主成分同一材料为主 成分。 12.一种基板加热装置制造方法,具有形成埋设有电 阻发热体之板状陶瓷基体之工序、使成为加热面 之陶瓷基体一面研削加工成中央最高,愈接近周边 部则愈低的凸面形状的工序、形成吸附机构的工 序以及使管状构件接合到陶瓷基体另一面中央之 工序。 13.如申请专利范围第12项所述之基板加热装置制 造方法,其中,形成陶瓷基体之工序,更包含使面状 电极埋设于陶瓷板状体中之工序。 14.如申请专利范围第13项所述之基板加热装置制 造方法,其中,研削加工工序中,加热面之中央部高 度(Hc)与加热面端部处高度(He)之差値H系50m以 下。 15.如申请专利范围第14项所述之基板加热装置制 造方法,其中,H系10m以上。 图式简单说明: 第1(a)图至第1(b)图系表示本发明实施形态基板加 热装置构造之装置剖面图。 第2(a)图至第2(b)图系表示本发明实施形态附静电 夹头之基板加热装置及附真空夹头之基板加热装 置构造之装置剖面图。 第3图系表示本发明实施形态基板加热装置制造方 法之流程图。 第4(a)图至第4(b)图系表示埋设于本发明实施形态 基板加热装置内之电阻发热体形状俯视图。 第5(a)图至第5(b)图系表示本发明实施形态基板加 热装置中,加热面施加有压花加工之装置的构造俯 视图及剖面图。
地址 日本