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1.一种层合陶瓷电子构件之内部电极用导电体糊 料的制造方法,其特征为包含将导电体粉末、及黏 合剂、及溶剂混练为黏土状之混练步骤、及经由 该之混练步骤所得到的混合物中,添加与混练步骤 中所使用的溶剂相同的溶剂,以降低其黏度而使该 混合物淤浆化之淤浆化步骤。 2.如申请专利范围第1项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中将导电体粉 末、及黏合剂、及溶剂之混合物混练至达到湿润 点为止。 3.如申请专利范围第1项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中将导电体粉 末、及黏合剂、及溶剂之混合物的固形分浓度混 练至达到84至94%为止。 4.如申请专利范围第2项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中将导电体粉 末、及黏合剂、及溶剂之混合物的固形分浓度混 练至达到84至94%为止。 5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合陶 瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方法, 其中使用选自高速剪切混合机、行星式混练机、 及捏合混练机所成群之混合机,混练导电体粉末、 及黏合剂、及溶剂。 6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合陶 瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方法, 其中于100重量份之镍粉末中,加入0.25至1.7重量份 之黏合剂、及3.0至15.0重量份之溶剂,混练至固形 分浓度达到84至94%为止。 7.如申请专利范围第6项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中于100重量份 之镍粉末中,加入0.5至1.0重量份之黏合剂、及2.0至 10.0重量份之溶剂,混练至固形分浓度达到85至92%为 止。 8.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合陶 瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方法, 其中使黏合剂溶解于该溶剂中以调制有机展色料, 3至15重量%之有机展色料溶液加入导电体粉末中后 混练。 9.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合陶 瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方法, 其中经由该混练步骤所制得之混合物中,添加分散 剂使混合物淤浆化。 10.如申请专利范围第9项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中经由该混练 步骤所制得之混合物中,相对于导电体粉末100重量 份添加0.25至2.0重量份的分散剂,降低该混合物的 黏度,接着添加溶剂。 11.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合 陶瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方 法,其中更将经由淤浆步骤所制得之淤浆,使用闭 锁型乳化器,连续性的使其分散。 12.如申请专利范围第11项之层合陶瓷电子构件之 内部电极用导电体糊料的制造方法,其中将经由该 淤浆步骤所制得之淤浆,使用匀浆器,连续性的使 其分散。 13.如申请专利范围第11项之层合陶瓷电子构件之 内部电极用导电体糊料的制造方法,其中将经由该 淤浆步骤所制得之淤浆,使用胶体磨,连续性的使 其分散。 14.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合 陶瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方 法,其中该黏合剂,为使用选自乙基纤维素、聚乙 烯丁缩醛、丙烯酸树脂及此等之混合物所成群之 黏合剂。 15.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之层合 陶瓷电子构件之内部电极用导电体糊料的制造方 法,其中该溶剂,为使用品醇、二氢品醇、丁 基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、品醇乙酸酯、 二氢品醇乙酸酯、煤油及此等之混合物所成群 之溶剂。 16.如申请专利范围第9项之层合陶瓷电子构件之内 部电极用导电体糊料的制造方法,其中该分散剂, 为非离子系分散剂。 17.如申请专利范围第16项之层合陶瓷电子构件之 内部电极用导电体糊料的制造方法,其中该分散剂 为使用使用HLB为5至7之聚乙二醇系分散剂。 |
