| 主权项 |
1.一种晶片承载座之结构,包含: 一底座; 一柱体,系设置于该底座上; 一晶片承载部,系位于该柱体之一顶面(top surface), 其中该晶片承载部系设置有一矩形结构用以固设 一发光二极体晶片。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 其中该晶片承载部系设置有一矩形凸出部。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 更包含一矩形凸出部设置于该柱体之该顶面,其中 该晶片承载部于该矩形凸出部上表面设置有一矩 形凹槽。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 更包含一矩形凸出部设置于该柱体之该顶面,其中 该晶片承载部于该矩形凸出部上表面设置有一矩 形凹沟所定义出来之区块。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 其中该晶片承载部系设置有一矩形凹槽。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 其中该晶片承载部系设置有一矩形凹沟所定义出 来之区块。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 其中该晶片承载部系设置有一多阶段矩形凸出部 。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构, 其中该柱体系为一圆柱体或一矩形柱体。 9.如申请专利范围第8项所述之晶片承载座之结构, 其中该晶片承载部系为该矩形柱体之该顶面。 10.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构 ,其中该底座为一圆形底座或一矩形底座。 11.如申请专利范围第1项所述之晶片承载座之结构 ,其中该底座设置有一个以上阶梯状段差。 12.一种晶片承载座之结构,包含: 一晶片承载部,系位于该晶片承载座之一顶面,其 中该晶片承载部系设置有一矩形结构用以固设一 发光二极体晶片。 13.如申请专利范围第12项所述之晶片承载座之结 构,其中该晶片承载部系设置有一矩形凸出部。 14.如申请专利范围第12项所述之晶片承载座之结 构,其中该晶片承载部系设置有一矩形凹槽。 15.如申请专利范围第12项所述之晶片承载座之结 构,其中该晶片承载部系设置有一矩形凹沟所定义 出来之区块。 16.一种晶片承载座之结构,包含: 一金属载座; 一胶座,系包覆于该金属载座上,并于该金属载座 之一顶面成型一矩形开口,以露出该金属载座之该 顶面,用以固设一发光二极体晶片。 17.如申请专利范围第16项所述之晶片承载座之结 构,其中该金属载座系设置有一矩形凹槽。 18.如申请专利范围第16项所述之晶片承载座之结 构,其中该金属载座系设置有一矩形凹沟所定义出 来之区块。 图式简单说明: 图1A与图1B所示为习知发光二极体晶片承载座之示 意图。 图2A、图2B与图2C所示为根据本创作一实施例之示 意图。 图3A、图3B与图3C所示为根据本创作一实施例之示 意图。 图4A、图4B与图4C所示为根据本创作一实施例之示 意图。 图5A、图5B与图5C所示为根据本创作一实施例之示 意图。 图6A、图6B与图6C所示为根据本创作一实施例之示 意图。 图7A、图7B与图7C所示为根据本创作不同实施例之 示意图。 图8A、图8B所示为根据本创作一实施例之示意图。 图9所示为根据本创作一实施例之示意图。 |
