形成半导体于绝缘结构上之方法

摘要

本发明揭示出一种黏接半导体薄膜于长方形基板（22）上。该方法有可能由圆形前身半导体晶片外延出长方形半导体薄膜，因而提供有效地以半导体薄膜覆盖基板。该方法包含下列步骤：藉由晶片离子植入在前身晶片（10)中产生受损区域（12），去除部份晶片（16）以形成突出部份（18），黏接晶片（10）突出部份至基板（22），以及外延黏接之突出部份。