动态记忆单元结构

摘要

本发明系揭示一种包含电容式储存元件和写入存取电晶体之动态随机存取记忆单元。写入存取电晶体系操作性地耦合至电容式储存元件，且具有包含高K介电质之闸堆叠，其中高K介电质具有大于二氧化矽介电常数之介电常数。本发明同时揭示一种使用此类记忆单元之记忆阵列，一种使用该记忆阵列之计算装置，一种储存资料的方法和一种制造方法。