| 摘要 |
藉由一种自一介电层（30）转移应力至一半导体体层（18）的方法来达成一应变半导体层（18）。该方法包含提供一具有一半导体层（18）之基板（12）。在该半导体层（18）上形成一具有一应力人介电层（30）。在一不超过10毫秒之持续时间在该介电层上施加一辐射退火（32），以促使该介电层（30）之该应力在该半导体层（18）中产生一应力。随后可移除该介电层（30）。在移除该介电层（30）之后在该半导体层（18）中之该应力之至少一部分留存于该半导体层中。该辐射退火可为藉由使用一雷射光束或一闪光工具（flash tool）之任一辐射退火。亦可使用该辐射退火以活化源极／汲极区域（26、28）。 |
