埋入式浮动闸极非挥发性EEPROM记忆体单元装置及其制造方法BURIED FLOATING GATE NON-VOLATILE EEPROM MEMORY CELL DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

摘要

一种EEPROM在基板中具有一电荷储存元件(亦即，一浮动闸极)，该电荷储存元件相邻于垂直分离源极及汲极电极。当复数个相似装置配置成一记忆体阵列时，一电性穿透复晶矽控制闸极允许用于程式化、抹除及读取操作之相对低电压。一第二复晶矽构件(称为一穿隧复晶矽构件)以同步于复晶矽控制闸极方式与源极及汲极电极相通以提供电荷载子至该浮动闸极。制造包含具有对微影之最小需求之一连串的层。