氮化镓晶体之成长方法

摘要

本氮化镓晶体之成长方法系于基底基板（U）上局部地形成阻碍氮化镓晶体之磊晶成长的遮罩（M），向形成有遮罩（M）之基底基板（U）上一边掺杂碳一边使氮化镓晶体磊晶成长。藉此，于磊晶成长过程中，第一晶体区域自遮罩（M）之周边向内侧成长，且相对于成长在基底基板（U）上并未形成有上述遮罩（M）之区域内的第二晶体区域而言该第一晶体区域系c轴方向反转，故于第一及第二区域之边界产生稳定之晶体粒界，从而有效地降低晶体之位错密度。