半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法为，先提供一基底，基底上至少具有包含闸极结构的电晶体区域、包含第一电极的电容器区域以及包含第二电极的电阻器区域，其中电容器区域与电阻器区域皆包含隔离结构。然后，依序形成第一间隙壁与闸极两侧的源极/汲极区。接着，于基底上方依序形成介电层以及第一导体材料层。之后，图案化第一导体层，以形成电容器区域的第三电极以及电阻器区域的导体层。随后，形成第二间隙壁。继之，移除未被覆盖住之介电层。之后，进行自行对准金属矽化物制程，形成金属矽化物层，以覆盖元件表面。