发明名称 使用用于感测之参考之记忆体电路
摘要 本发明揭示一种记忆体(12),其包括:复数个记忆体单元(12);一感测放大器(18),其系耦合至该复数个记忆体单元中的至少一记忆体单元;一温度相依之电流产生器(26),其包含复数个可选取之温度相依电流源(52至62),以用于产生一温度相依之电流;一非温度相依之电流产生器(28),其包含复数个可选取之非温度相依电流源(70、72、74),以用于产生一非温度相依之电流;及一加法器(30),其系耦合至该温度相依之电流产生器(26)及该非温度相依之电流产生器(28),用于将该温度相依之电流与该非温度相依之电流组合,以产生一供该感测放大器(18)使用之参考电流。该参考电流之一温度系数近似相同于该复数个记忆体单元中至少一记忆体单元之一记忆体单元电流之一温度系数。
申请公布号 TW200807430 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW096117603 申请日期 2007.05.17
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 琼S 裘伊;塔米纳 艾克特
分类号 G11C7/04(2006.01);G11C7/06(2006.01) 主分类号 G11C7/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国