| 摘要 |
本发明提供一种用于具有底部填充式热撷取器（46、46’、78、78’）之半导体装置（40、61-13、61-15、61-18、61-19）之结构（40、61-13、61-15、61-18、61-19）及方法（60-5、...、60-19、100、200）。该装置（40、61-13、61-15、61-18、61-19）包含一具有上表面（37）及下表面（63、73）的基板（48、72）。一半导体（38、72）接近该上表面（37）而定位且其中具有一装置区域（26）。下伏于该装置区域（26）之一或多个空腔（67、77）于该基板（48、72）中自该下表面（63、73）而蚀刻。一相比该基板（48、72）具有较高热导率之材料（68）填充该或该等空腔（67）且具有一下伏于该装置区域（26）之位于或超过该下表面（63、73）的曝露表面（69、69’、79、79’）。以此方式提供了底部填充式热撷取器（46、46’、78、78’）。一复合基板（48）系较佳的，该复合基板具有一延伸至该上表面（37）且包含该装置区域（26）之第一半导体（38），一延伸至该下表面（63）的第二半导体（42），及一位于该第一半导体（38）与该第二半导体（42）之间的绝缘层（36），其中该或该等空腔（67）自该下表面（63）延伸至该绝缘层（36）且蚀刻深度（671）系自我限制的。 |
