| 发明名称 |
在积体电路中避免浅沟槽 |
| 摘要 |
标准胞元设计之扩散区在胞元边界上被桥接。减少了浅沟槽隔离，且减少了氮化物钝化厚度的差异。 |
| 申请公布号 |
TW200807617 |
申请公布日期 |
2008.02.01 |
| 申请号 |
TW096111381 |
申请日期 |
2007.03.30 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
杰佛瑞 戴维斯;拉杰许利 多达马尼;朱标华;杜克 努元;达斯哈那 瑟提;伊娃 尹姆 |
| 分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
