| 主权项 |
1.一种有机发光显示元件(Organic Electroluminescent Device),至少包括: 一阳极(Anode); 一电洞注入层(Hole Injection Layer),形成于该阳极上; 一第一电洞传输层(Hole Transport Layer),形成于该电 洞注入层上,且该第一电洞传输层掺杂一p型掺杂 物; 一第二电洞传输层,形成于该第一电洞传输层上; 一有机发光层(Light Emitting Layer),形成于该第二电 洞传输层上; 一电子传输层(Electron Transport Layer),形成于该有机 发光层上;和 一阴极(Cathode),形成于该电子传输层上。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件, 其中该电洞注入层之材料包括氟化碳化合物(CFx Compound)。 3.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件, 其中该第一电洞传输层之材料包括胺类衍生物( Diamine Derivative)。 4.如申请专利范围第3项所述之有机发光显示元件, 其中该胺类衍生物为N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1 -biphenyl-4,4-diamine(NPB)。 5.如申请专利范围第3项所述之有机发光显示元件, 其中该胺类衍生物为N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl )(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(TPD)。 6.如申请专利范围第3项所述之有机发光显示元件, 其中该胺类衍生物为4,4',4"-tris(2-naphthylphenylamino) triphenyl-amine(2T-NATA)。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件, 其中该p型掺杂物系为tetra(fluoro)-tetra(cyano) quinodimethane(TF-TCNQ)。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件, 其中该第一电洞传输层之材料包括NPB掺杂TF-TCNQ。 9.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件, 其中该第一电洞传输层之一厚度范围为500A~5000A。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该第二电洞传输层之一厚度范围为100A~500A。 11.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该有机发光层系由Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium(Alq3)、N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl -4,4-diamine(NPB)和1H,5H,11H-1-benzopyrano-6,7,8-ij-quinolizin- 11-one,10-(2-benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7- tetramethyl-(9CI)(C545T)等材料所组成。 12.如申请专利范围第11项所述之有机发光显示元 件,其中该有机发光层之材料组成比例为[Alq3:NPB]:C 545T=[0.5:0.5]:1%。 13.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该电子传输层之材料包括Tris-(8-hydroxyquinoline )aluminium(Alq 3)。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该阳极系经由一氧气电浆(O2 Plasma)处理产生 。 15.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该阳极系经由紫外光臭氧(UV ozone)处理产生 。 16.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示元件 ,其中该阴极之材料包括氟化锂(LiF)、铝(Al)或其组 合。 17.一种有机发光显示元件之制造方法,包括步骤: 提供一基板,并使该基板形成一阳极; 形成一电洞注入层于该阳极上; 形成一第一电洞传输层于该电洞注入层上,且该第 一电洞传输层掺杂一p型掺杂物; 形成一第二电洞传输层于该第一电洞传输层上; 形成一有机发光层于该电洞传输层上; 形成一电子传输层于该有机发光层上;和 形成一阴极于该电子传输层上, 其中,该电洞注入层和该第一电洞传输层相配合, 可提升该有机发光显示元件之稳定性。 18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该 基板为一导电玻璃(indium tin oxide(ITO)),并经过一氧 气电浆(O2 Plasma)处理而形成。 19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该 基板为一导电玻璃(indium tin oxide(ITO)),并经过紫外 光臭氧(UV ozone)处理而形成。 20.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中系 在该阳极上沈积一氟化碳(CFx)薄膜,以形成该电洞 注入层。 21.如申请专利范围第20项所述之制造方法,其中该 氟化碳(CFx)薄膜之厚度为5~100A。 22.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中在 该电洞注入层上形成一胺类衍生物(Diamine Derivative )并同时掺杂该p型掺杂物,以形成该电洞传输层。 23.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 胺类衍生物为N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl -4,4-diamine(NPB)。 24.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 胺类衍生物为N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)(1,1'- biphenyl)-4,4'-diamine(TPD)。 25.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该 胺类衍生物为4,4',4"-tris(2-naphthylphenylamino)triphenyl- amine(2T-NATA)。 26.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该p 型掺杂物系为tetra(fluoro)-tetra(cyano)quinodimethane(TF- TCNQ)。 27.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该 第一电洞传输层所形成之一厚度范围为500A~5000A。 28.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该 第二电洞传输层之一厚度范围为100A~500A。 29.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该 有机发光层系由Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminium(A1q3)、 N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB) 和1H,5H,11H-1-benzopyrano-6,7,8-ij-quinolizin-11-one,10-(2- benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-(9CI)(C 545T)所组成。 30.如申请专利范围第29项所述之制造方法,其中该 有机发光层之材料组成比例为[A1q3:NPB]:C545T=[0.5:0.5 ]:1%。 31.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中系 在该有机发光层上蒸镀一Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium(Alq3)层,以形成该电子传输层。 32.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中系 在该电子传输层上依序形成一氟化锂(LiF)层和一 铝(Al)层,以形成该阴极。 图式简单说明: 第1图绘示依照本发明一较佳实施例之有机发光显 示元件之结构示意图。 第2A图为本发明第一对照组之有机发光显示元件 之结构示意图。 第2B图为本发明第二对照组之有机发光显示元件 之结构示意图。 第3图为三组元件结构的发光亮度(Relative Luminescence)和操作时间(Operational Time)的关系图。 第4图为三组元件结构的驱动电压(Voltages)和操作 时间(Operational Time)的关系图。 |
