TFT基板、使用此基板之液晶显示装置及其制造方法

摘要

基板2上具有闸极4、闸极绝缘膜6、α-Si： H(i)膜8、通道保护层10、α-Si：H(n)膜12、以金属铝为主要成份之源极汲极14、15、源极汲极绝缘膜16、金属薄膜缓冲层18、及透明电极20之α-SiTFT基板。在源极汲极14、15上形成金属缓冲层18及透明导电膜20，同时对其实施蚀刻，形成金属薄膜缓冲层18及透明电极20。通孔22中，因源极汲极15利用金属缓冲膜18而不会直接接触透明导电膜20，电极15中之铝不会氧化，接触阻抗亦不会昇高。利用此方式，可以提供动作安定之TFT基板及液晶显示装置、及有效率之制造方法。

主权项

1.一种TFT基板,于源极汲极电极及透明电极间存 在绝缘层,且利用前述绝缘层上形成之通孔实施前 述源极汲极电极及前述透明电极之电气连接之 TFT基板,其特征为, 前述源极汲极电极系以金属铝做为主要成份,前 述通孔之中于前述源极汲极电极,及前述透明电 极间具有金属薄膜缓冲层,前述金属薄膜缓冲层系 藉由前述透明电极,和相同之蚀刻工程所形成。 2.如申请专利范围第1项所记载之TFT基板,其中, 前述金属薄膜缓冲层系藉由铝所产生易于氧化之 金属,做为主要成份。 3.如申请专利范围第1项所记载之TFT基板,其中, 前述金属于氧化时,呈现透明性及导电性之金属。 4.如申请专利范围第1项所记载之TFT基板,其中, 前述金属薄膜缓冲层系由Ag、Au、Pt、Rh、Pd、Cr、 In、Ga、Zn、Mo、Ti、及Sn其中一种以上之金属或合 金所构成。 5.一种TFT基板,于源极汲极电极,及透明电极间存 在绝缘层,且利用前述绝缘层上形成之通孔,实施 前述源极汲极,及透明电极之电气连接之TFT基板 ,其特征为: 前述源极汲极电极,系以金属铝做为主要成分, 前述通孔中,于前述源极汲极电极,及前述透明 电极间,具有金属薄膜缓冲层,前述金属薄缓冲层 系形成于前述透明电极之单面整面上。 6.如申请专利范围第5项所记载之TFT基板,其中,前 述金属薄膜缓冲层,系藉由铝所产生之易于氧化之 金属,做为主要成分。 7.如申请专利范围第5项所记载之TFT基板,其中,前 述金属于氧化时,呈现出透明性及导电性之金属。 8.如申请专利范围第5项所记载之TFT基板,其中,前 述金属薄膜缓冲层系由Ag、Au、Pt、Rh、Pd、Cr、In 、Ga、Zn、Mo、Ti、及Sn其中一种以上之金属或合金 所构成。 9.一种TFT基板,于源极汲极电极,及透明电极间存 在绝缘层,且利用前述绝缘层上形成之通孔,实施 前述源极汲极电极,及透明电极之电气连接之TFT 基板,其特征为: 前述源极汲极电极,系以金属铝做为主要成分, 于前述通孔之中,于前述源极汲极电极,及前述 透明电极间,具有金属薄膜缓冲层,前述金属薄膜 缓冲层,系由Ag、In、Ga、Zn及Sn其中一种以上之金 属或合金所构成。 10.一种液晶显示装置,包含如申请专利范围第1至9 项之任一项所记载之TFT基板。 11.一种TFT基板之制造方法,其特征包含于源极汲 极电极上,形成绝缘膜,于前述绝缘膜上形成通孔, 于前述绝缘膜及前述通孔之上,成膜金属缓冲膜, 和透明导电膜,将前述金属缓冲膜,和前述透明导 电膜同时蚀刻,而形成金属薄膜缓冲层,和透明电 极之工程。 图式简单说明: 图1为本发明之TFT基板一实施形态之-SiTFT基板的 剖面图。