| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含: 半导体基板,其系具有主动面与背面者; 积体电路,其系形成于前述主动面者; 贯穿电极,其系贯穿前述半导体基板,从前述主动 面及前述背面突出者; 第1树脂层,其系设置于前述半导体基板之主动面, 具有比从前述主动面突出之前述贯穿电极之一部 分之高度更大之厚度,且具有露出前述贯穿电极之 至少一部分之开口者; 布线层,其系设置于前述第1树脂层上,经由前述开 口而连接于前述贯穿电极;及 外部连接端子,其系连接于前述布线层者。 2.如请求项1之半导体装置,其中 包含第2树脂层; 前述第2树脂层设置于前述第1树脂层上,具有比前 述布线层之厚度更大之厚度,具有比前述第1树脂 层之厚度更小之厚度,使前述布线层之连接前述外 部连接端子之部分露出。 3.如请求项2之半导体装置,其中 前述第2树脂层在俯视时,系形成于前述第1树脂层 之内侧之区域。 4.如请求项1至3中任一项之半导体装置,其中 包含第3树脂层; 前述第3树脂层设置于前述半导体基板之背面上, 至少使前述贯穿电极之端面露出。 5.如请求项1至3中任一项之半导体装置,其中 于突出于前述半导体基板之背面之前述贯穿电极 连接有其他半导体装置或电子零件。 6.如请求项5之半导体装置,其中 包含第2布线层,其系连接于突出于前述半导体基 板之背面之前述贯穿电极者。 7.如请求项5之半导体装置,其中 包含树脂,其系密封前述背面所安装之其他半导体 装置或电子零件者。 8.一种半导体装置之制造方法,其系 准备半导体基板,该半导体基板系具有包含积体电 路之主动面与背面者; 形成贯穿电极,该贯穿电极系通过前述半导体基板 而从前述主动面及前述背面突出者; 形成第1树脂层,该第1树脂层系具有比从前述主动 面侧突出之贯穿电极之高度更大之厚度,且具有露 出前述贯穿电极之至少一部分之开口者; 形成布线层,该布线层系经由前述开口而连接于前 述第1电极者; 形成外部连接端子,该外部连接端子系连接于前述 布线层者。 9.如请求项8之半导体装置之制造方法,其中 使用半导体晶圆作为前述半导体基板; 于前述半导体晶圆上形成复数个前述半导体装置 后,就每一个前述半导体装置切割前述半导体晶圆 。 10.如请求项8或9之半导体装置之制造方法,其中 以不与前述半导体基板之切割部分重叠之方式形 成前述第1树脂层。 11.如请求项8或9之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述贯穿电极之步骤中, 藉由于前述半导体基板之主动面形成通到前述主 动面所形成之前述积体电路之导电部之孔; 于前述孔内形成导电部; 将前述半导体基板从背面侧进行薄厚加工,而形成 贯穿电极。 12.如请求项8或9之半导体装置之制造方法,其中 于前述半导体基板之背面,形成至少使前述贯穿电 极露出之第3树脂层。 13.如请求项12之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述第3树脂层之际, 藉由使用感光性树脂进行曝光、显影,形成使突出 于前述背面之贯穿电极至少露出之开口; 于形成前述开口后,藉由使其溶解之树脂之流动而 使前述贯穿电极与前述第3树脂层接触; 使前述感光性树脂硬化。 14.如请求项12之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述第3树脂层之际, 以用前述第3树脂覆盖前述贯穿电极之方式进行涂 布后,藉由电浆处理使前述贯穿电极露出。 15.如请求项12之半导体装置之制造方法,其中 于形成前述第3树脂层之际, 利用高分子膜覆盖前述贯穿电极,且于该状态下进 行加热且压接,于前述高分子膜使从前述背面侧突 出之贯穿电极贯穿。 16.一种电路基板,其系具有如请求项1之半导体装 置者。 17.一种电子机器,其系具有如请求项16之电路基板 者。 图式简单说明: 图1系本发明之半导体装置之侧剖面图。 图2系半导体装置之制造步骤之说明图。 图3系半导体装置之制造步骤之说明图。 图4系半导体装置之制造步骤之说明图。 图5系半导体装置之制造步骤之说明图。 图6系半导体装置之制造步骤之说明图。 图7系半导体装置之制造步骤之说明图。 图8系半导体装置之制造步骤之说明图。 图9系半导体装置之制造步骤之说明图。 图10系半导体装置之制造步骤之说明图。 图11系半导体装置之制造步骤之说明图。 图12系半导体装置之制造步骤之说明图。 图13系半导体装置之制造步骤之说明图。 图14系半导体装置之制造步骤之说明图。 图15系半导体装置之制造步骤之说明图。 图16系半导体装置之制造步骤之说明图。 图17系揭示半导体装置之其他之实施型态之图式 。 图18系揭示具有半导体装置之电路基板之图式。 图19系揭示具有前述电路基板之电子机器之图式 。 |
