| 主权项 |
1.一种用于自一基板表面去除一层之方法,包括: 提供至少一封闭输送包,该封闭输送包包含至少某 种活性气体;以及 将该至少一封闭输送包施加于该层上,该层为一化 学活性层, 其中该封闭输送包于该化学活性层上破裂,并释放 出该活性气体至该化学活性层上,以开始该活性气 体与该化学活性层之间的反应,而促进自该基板表 面去除该层。 2.如申请专利范围第1项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中释放出该活性气体至该化学活性 层上令该活性气体与一反应诱导剂两者与该化学 活性层直接接触。 3.如申请专利范围第2项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中该反应诱导剂为水(H2O)、去离子 水(DIW)、水(H2O)及一清洁流体、水(H2O)及一界面活 性剂、水(H2O)及该清洁流体及该界面活性剂、去 离子水(DIW)及该清洁流体、去离子水(DIW)及该界面 活性剂、与该去离子水(DIW)及该清洁流体及该界 面活性剂其中之一。 4.如申请专利范围第1项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中该至少一封闭输送包系与其余封 闭输送包结合以形成一泡沫。 5.如申请专利范围第1项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中该至少一封闭输送包为一气泡。 6.如申请专利范围第1项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中该活性气体为臭氧(O3)、氧(O2)、 氢氯酸(HCl)、氢氟酸(HF)、臭氧(O3)及氮(N2)、臭氧(O 3)及氩(Ar)、臭氧(O3)及氧(O2)及氮(N2)、臭氧(O3)及氧 (O2)及氩(Ar)、臭氧(O3)及氧(O2)及氮(N2)及氩(Ar)、氧( O2)及氩(Ar)、氧(O2)及氮(N2)、氧(O2)及氮(N2)及氩(Ar) 其中之一。 7.一种用于自一基板表面去除一层之方法,包括: 提供一活性气体; 提供一反应诱导剂; 将该活性气体与该反应诱导剂混合,以产生至少一 封闭输送包,该封闭输送包包含至少某种活性气体 ;以及 将该至少一封闭输送包施加于该层上,该层为一化 学活性层, 其中该封闭输送包于该化学活性层上破裂,并释放 出该活性气体至该化学活性层上,以开始该活性气 体与该化学活性层之间的反应,而促进自该基板表 面去除该层。 8.如申请专利范围第7项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中释放出该活性气体至该化学活性 层上令该活性气体与该反应诱导剂两者与该化学 活性层直接接触。 9.如申请专利范围第7项之用于自一基板表面去除 一层之方法,其中该化学活性层为一有机材料。 10.一种用于自一基板表面去除一层之设备,包括: 一施加单元,该施加单元系用以接收至少一封闭输 送包,该至少一封闭输送包包括至少某些活性气体 , 其中该封闭输送包可施加于该层上,俾于该封闭输 送包在该层上破裂时,可引起该层、该活性气体与 一先前将该层及该活性气体隔离之反应诱导剂间 之反应。 11.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该封闭输送包可施加于该层上 ,俾于该封闭输送包在该层上破裂时,可引起该层 与该活性气体及该反应诱导剂两者间之反应。 12.如申请专利范围第11项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该反应诱导剂为水(H2O)、去离 子水(DIW)、水(H2O)及一清洁流体、水(H2O)及一界面 活性剂、水(H2O)及该清洁流体及该界面活性剂、 去离子水(DIW)及该清洁流体、去离子水(DIW)及该界 面活性剂、与该去离子水(DIW)及该清洁流体及该 界面活性剂其中之一。 13.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该施加单元为一容器。 14.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,更包含一封闭输送包产生单元。 15.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该活性气体为臭氧(O3)、氧(O2) 、氢氯酸(HCl)、氢氟酸(HF)、臭氧(O3)及氮(N2)、臭 氧(O3)及氩(Ar)、臭氧(O3)及氧(O2)及氮(N2)、臭氧(O3) 及氧(O2)及氩(Ar)、臭氧(O3)及氧(O2)及氮(N2)及氩(Ar) 、氧(O2)及氩(Ar)、氧(O2)及氮(N2)、氧(O2)及氮(N2)及 氩(Ar)其中之一。 16.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该层为一有机材料。 17.如申请专利范围第10项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该至少一封闭输送包系与其余 封闭输送包结合以形成一泡沫。 18.一种用于自一基板表面去除一层之设备,包括: 一活性气体源; 一反应诱导剂源;以及 一施加单元,该施加单元系用以接收由该活性气体 源所获得之该活性气体、以及由该反应诱导气体 源所获得之该反应诱导剂,以产生至少一封闭输送 包,该至少一封闭输送包包括某种该活性气体, 其中该封闭输送包可施加于该层上,俾于该封闭输 送包在该层上破裂时,可引起该层、该活性气体与 一先前将该层及该活性气体隔离之反应诱导剂间 之反应。 19.如申请专利范围第18项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该封闭输送包可施加于该层上 ,俾于该封闭输送包在该层上破裂时,可引起该层 与该活性气体及该反应诱导剂两者间之反应。 20.如申请专利范围第18项之用于自一基板表面去 除一层之设备,其中该施加单元为一近接头。 图式简单说明: 图1显示一些根据本发明一实施例之形成泡沫之封 闭输送包。 图2A为根据本发明一实施例之位于两封闭输送包 间之界面详细放大图。 图2B显示根据本发明一实施例之于一有机材料上 破裂之封闭输送包。 图3A、3B、3C及3D显示根据本发明各种不同实施例 之各种泡沫产生方法。 图4A、4B、4C、4D及4E显示根据本发明各种不同实施 例而将泡沫施加于该有机材料层上之各种不同实 施例。 图5显示根据本发明一实施例而自该基板表面去除 该有机材料层之近接头。 图6为根据本发明一实施例而自基板表面去除一层 之操作方法流程图。 |
