| 主权项 |
1.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极; 一致能元件,其回应于一致能信号以及具有一第一 端,连接至该第一及第二负载元件之第二端及该栓 锁器之一第一输出;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该偏压电路包括: 一第一PMOS电晶体,具有一源极,连接至一电源供应 电压,以及一闸极及一汲极,连接在一起; 一第一NMOS电晶体,回应于该控制信号,具有一汲极, 连接至该第一PMOS电晶体之闸极及汲极,以及一源 极,连接至该输出信号线; 第二及第三NMOS电晶体,在该输出信号线与一地电 压之间连接成图腾柱的配置,以及具有二极体结构 的交错耦接的闸极及汲极;以及 一第四NMOS电晶体,具有一闸极,连接至该控制信号, 一汲极,连接至该输出信号线,以及一源极,连接至 该地电压。 2.如申请专利范围第1项所述之放大器,其中该第一 及第二负载元件分别包括第一及第二负载电晶体, 其连接成二极体。 3.如申请专利范围第1项所述之放大器,其中该栓锁 器包括第一及第二MOS电晶体,具有交错耦接的汲极 及闸极。 4.如申请专利范围第3项所述之放大器,其中该栓锁 器回应于一偏压信号。 5.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极; 一致能元件,其回应于一致能信号以及具有一第一 端,连接至该第一及第二负载元件之第二端及该栓 锁器之一第一输出;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该控制信号是因应一行 选择信号及一栓锁指令信号而产生的,该栓锁指令 信号指示该栓锁器的时间。 6.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极; 一致能元件,其回应于一致能信号以及具有一第一 端,连接至该第一及第二负载元件之第二端及该栓 锁器之一第一输出;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该偏压信号是在逻辑高, 当该控制信号为逻辑低时,以及其中该偏压信号是 在逻辑低,当该控制信号为逻辑高时。 7.如申请专利范围第6项所述之放大器,其中当该偏 压信号为逻辑高时,该栓锁器被启动,以及其中当 该偏压信号为逻辑低时,该栓锁器被停止。 8.如申请专利范围第6项所述之放大器,其中当一对 第一及第二输出电压变化时,该控制信号为逻辑低 。 9.如申请专利范围第6项所述之放大器,其中当该第 一及第二输出信号为固定以及具有不同的値时,该 控制信号为逻辑高。 10.如申请专利范围第6项所述之放大器,其中当该 电源供应电压增加至超过一预定位准时,该控制信 号为逻辑高。 11.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该偏压电路包括: 一第一PMOS电晶体,具有一源极,连接至一电源供应 电压,以及一闸极及一汲极,连接在一起; 一第一NMOS电晶体,回应于该控制信号,具有一汲极, 连接至该第一PMOS电晶体之闸极及汲极,以及一源 极,连接至该输出信号线; 第二及第三NMOS电晶体,在该输出信号线与一地电 压之间连接成图腾柱的配置,以及具有二极体结构 的交错耦接的闸极及汲极;以及 一第四NMOS电晶体,具有一闸极,连接至该控制信号, 一汲极,连接至该输出信号线,以及一源极,连接至 该地电压。 12.如申请专利范围第11项所述之放大器,更包括一 致能元件,其回应于一致能信号以及具有一第一端 ,连接至该第一及第二负载元件之第二端及该栓锁 器之第一输入。 13.如申请专利范围第12项所述之放大器,其中该第 一及第二负载元件分别包括第一及第二负载电晶 体,其连接成二极体。 14.如申请专利范围第12项所述之放大器,其中该栓 锁器包括第一及第二MOS电晶体,具有交错耦接的汲 极及闸极。 15.如申请专利范围第14项所述之放大器,其中该栓 锁器回应于一偏压信号。 16.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该控制信号是因应一行 选择信号及一栓锁指令信号而产生的,该栓锁指令 信号指示该栓锁器的时间。 17.一种电流感测放大器,包括: 第一及第二感测电晶体,具有交错耦接的闸极及汲 极; 第一及第二负载元件,具有第一端,连接至该第一 及第二感测电晶体之各别的汲极; 一栓锁器,具有第一及第二输入,连接至该第一及 第二感测电晶体之各别的汲极;以及 一偏压电路,其在一输出信号线上产生该偏压信号 ,以回应一控制信号,其中该偏压信号是在逻辑高, 当该控制信号为逻辑低时,以及其中该偏压信号是 在逻辑低,当该控制信号为逻辑高时。 18.如申请专利范围第17项所述之放大器,其中当该 偏压信号为逻辑高时,该栓锁器被启动,以及其中 当该偏压信号为逻辑低时,该栓锁器被停止。 19.如申请专利范围第17项所述之放大器,其中当一 对第一及第二输出电压变化时,该控制信号为逻辑 低。 20.如申请专利范围第17项所述之放大器,其中当该 第一及第二输出信号为固定以及具有不同的値时, 该控制信号为逻辑高。 21.如申请专利范围第17项所述之放大器,其中当电 源供应电压增加至超过一预定位准时,该控制信号 为逻辑高。 22.一种电流感测放大电路,用以感测及放大接收自 资料输入/输出线对之记忆胞资料,该电流感测放 大电路包括: 感测电晶体,具有一栓锁结构,于其中该资料输入/ 输出线对连接至每一源极,以及汲极及闸极为交错 耦接,用以自该资料输入/输出线对输入第一及第 二电流以及感测该第一电流与该第二电流之间的 差异; 负载电晶体,其闸极及汲极分别连接至该些感测电 晶体之汲极; 一切换电晶体,其汲极连接至该些负载电晶体之源 极以及其闸极连接至预定的致能信号,以及该切换 电晶体因应该致能信号做切换;以及 一栓锁器,其并联于该些负载电晶体,用以自该些 感测电晶体形成另一电流途径,以回应一预定的偏 压信号,其中该栓锁器包括: 一第一对NMOS电晶体,具有一栓锁结构,其中汲极及 闸极为交错耦接,以及各别的汲极连接至该些负载 电晶体之各别的汲极;以及 一对电阻器,分别与该第一对NMOS电晶体串联连接 以及由该偏压信号控制。 23.如申请专利范围第22项所述之电流感测放大电 路,其中该栓锁器系由至少一对NMOS电晶体来实作 。 24.如申请专利范围第22项所述之电流感测放大电 路,其中该对电阻器系由一第二对NMOS电晶体来实 作,其汲极连接至该第一对NMOS电晶体之各别的源 极,以及闸极连接至该偏压信号。 25.如申请专利范围第22项所述之电流感测放大电 路,其中该栓锁器系由至少一对PMOS电晶体来实作 。 26.一种电流感测放大电路,用以感测及放大接收自 资料输入/输出线对之记忆胞资料,该电流感测放 大电路包括: 感测电晶体,具有一栓锁结构,于其中该资料输入/ 输出线对连接至每一源极,以及汲极及闸极为交错 耦接,用以自该资料输入/输出线对输入第一及第 二电流以及感测该第一电流与该第二电流之间的 差异; 负载电晶体,其闸极及汲极分别连接至该些感测电 晶体之汲极; 一切换电晶体,其汲极连接至该些负载电晶体之源 极以及其闸极连接至预定的致能信号,以及该切换 电晶体因应该致能信号做切换;以及 一栓锁器,其并联于该些负载电晶体,用以自该些 感测电晶体形成另一电流途径,以回应一预定的偏 压信号,其中该偏压信号于一区间被启动,于其中 输出端及反相输出端的电压是变化的,其分别连接 至该些感测电晶体之汲极,以及当该输出端及该反 相输出端的电压为固定时,该偏压信号停止动作。 27.一种电流感测放大电路,用以感测及放大接收自 资料输入/输出线对之记忆胞资料,该电流感测放 大电路包括: 感测电晶体,具有一栓锁结构,于其中该资料输入/ 输出线对连接至每一源极,以及汲极及闸极为交错 耦接,用以自该资料输入/输出线对输入第一及第 二电流以及感测该第一电流与该第二电流之间的 差异; 负载电晶体,其闸极及汲极分别连接至该些感测电 晶体之汲极; 一切换电晶体,其汲极连接至该些负载电晶体之源 极以及其闸极连接至预定的致能信号,以及该切换 电晶体因应该致能信号做切换;以及 一栓锁器,其并联于该些负载电晶体,用以自该些 感测电晶体形成另一电流途径,以回应一预定的偏 压信号,其中当一电源供应电压增加至超过一预定 位准时,该偏压信号停止动作。 28.一种电流感测放大电路,用以感测及放大接收自 资料输入/输出线对之记忆胞资料,该电流感测放 大电路包括: 感测电晶体,具有一栓锁结构,于其中该资料输入/ 输出线对连接至每一源极,以及汲极及闸极为交错 耦接,用以自该资料输入/输出线对输入第一及第 二电流以及感测该第一电流与该第二电流之间的 差异; 负载电晶体,其闸极及汲极分别连接至该些感测电 晶体之汲极; 一切换电晶体,其汲极连接至该些负载电晶体之源 极以及其闸极连接至预定的致能信号,以及该切换 电晶体因应该致能信号做切换; 一栓锁器,其并联于该些负载电晶体,用以自该些 感测电晶体形成另一电流途径,以回应一预定的偏 压信号;以及 一偏压电路,用以启动/停止该偏压信号,以回应一 预定的控制信号。 29.如申请专利范围第28项所述之电流感测放大电 路,其中该栓锁器系由至少一对NMOS电晶体来实作 。 30.如申请专利范围第28项所述之电流感测放大电 路,其中该栓锁器包括: 一第一对NMOS电晶体,具有一栓锁结构,其中汲极及 闸极为交错耦接,以及各别的汲极连接至该些负载 电晶体之各别的汲极;以及 一对电阻器,分别与该第一对NMOS电晶体串联连接 以及由该偏压信号控制。 31.如申请专利范围第30项所述之电流感测放大电 路,其中该对电阻器系由一第二对NMOS电晶体来实 作,其汲极连接至该第一对NMOS电晶体之各别的源 极,以及闸极连接至该偏压信号。 32.如申请专利范围第28项所述之电流感测放大电 路,其中该栓锁器系由至少一对PMOS电晶体来实作 。 33.如申请专利范围第28项所述之电流感测放大电 路,其中该偏压电路于一区间被启动,当一输出端 及一反相输出端的电压变化时,其连接至该些感测 电晶体之汲极,以及当该输出端及该反相输出端的 电压为固定时,该偏压信号停止动作。 34.如申请专利范围第28项所述之电流感测放大电 路,其中当一电源供应电压增加至超过一预定位准 时,该偏压电路停止动作。 图式简单说明: 第1图是习知电流感测放大电路的电路图。 第2图是阐述习知电流感测放大电路中,例如,如第1 图所绘示的电路,的电晶体的电流及/或电压特性 的图形。 第3图是输入/输出(Input/Output,简称I/O)感测放大电 路的概略方块图,其中可以使用依照本发明的实施 例的电流感测放大电路。 第4图是依照本发明的实施例的半导体记忆元件中 的电流感测放大电路的方块图。 第5图是电流感测放大器的详细电路图,例如,第4图 所绘示的电路。 第6(A)图至第6(C)图是阐述依照本发明的实施例的 电流感测放大电路的运作的时序图,例如,第5图所 绘示的电路。 |
