在电晶体器件中利用反向短通道效应之装置与方法

摘要

本发明揭示一种实施电晶体电路之方法，其包含以并联方式耦合第一与第二电晶体，其中该第一电晶体具有一与该电晶体之电压临限值曲线中之一起因于反向短通道效应之峰值相对应的通道长度，且该第二电晶体具有一更长通道长度进而具有一更低临限电压。以此方式利用反向短通道效应致能实施展现改良线性之「复合」电晶体电路。