具有应变主动区域之被本体束缚的金属氧化物半导体场效电晶体装置

摘要

本发明揭示一种被本体束缚的MOSFET装置及制造方法。在该制造方法中，氧气沿着一pEFT或nFET之一第一轴线扩散且发生反应。此导致一内埋式氧化物／矽岛状物介面之部分氧化。该部分氧化在该矽岛状物中产生一厚度变化，该厚度变化沿着第一轴线产生一应力。沿着该第一轴线之该应力修改该FET之一装置特性。亦可抑制沿着一垂直的第二轴线之氧化。可将该部分氧化并入于基于SIO及STI之处理流程中。此外，一双闸极氧化处理可进一步增强装置特性。