发明名称 参考电压源与电流源之产生电路
摘要 本发明为参考电压源与电流源之产生电路,产生具低温度系数与低供应电压敏感度之两个参考电压源与一个或复数个电流参考源,该电路包含第一与第二之二极体连接的NMOS电晶体、复数个PMOS电晶体、一个低温度系数之电阻与一个运算放大器,其中主要特征包括:(一)第一与第二之二极体连接方式的NMOS电晶体分别存在其个别唯一之第一与第二最小温度系数点(受温度影响最小),其中第一与第二之最小温度系数点之NMOS电晶体的闸-源极偏压值不相等;(二)电阻连接于第一运算放大器之第一输入端与第二之二极体连接方式的NMOS电晶体之汲极端;(三)运算放大器之第一输入端与电阻相连,其第二输入端连接至第一之二极体连接方式的NMOS电晶体之汲极端,且输出端连接至复数个PMOS电晶体之闸极,藉以调整第一与第二之二极体连接的NMOS电晶体分别偏压于其个别之第一与第二最小温度系数点附近,提供两个稳定之参考电压与一个或复数个稳定之电流参考源。
申请公布号 TW200807854 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW095127390 申请日期 2006.07.26
申请人 黄汉邦;刘志鹏 发明人 刘志鹏;黄汉邦
分类号 H02M3/137(2006.01) 主分类号 H02M3/137(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
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