发明名称 光导体覆主动像素感测器
摘要 本发明提供一种光导体覆主动像素感测器,其包含有一矽基底、复数个像素电路设于矽基底上、一电荷产生光导层设于像素电路上方、复数个彩色滤光片并排设于电荷产生光导层上方以及一遮蔽层设于彩色滤光片之上,且任二相邻之彩色滤光片之邻近处上方设置有该遮蔽层。
申请公布号 TW200807735 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW095126245 申请日期 2006.07.18
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 锺祥;汪嘉将;何昌瑾
分类号 H01L31/0352(2006.01) 主分类号 H01L31/0352(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市科学园区力行一路12号