用以改善临界尺寸均匀度之边缘气体注入

摘要

本发明揭示一种以改善之临界尺寸均匀度蚀刻半导体基板之方法，该方法包括：将一半导体基板支撑于一电感耦合电浆蚀刻室中之基板支架上；将一第一蚀刻气体供应至该半导体基板上方一中心区域；将一包括至少一种含矽气体之第二气体供应至该半导体基板上方一环绕该中心区域之周边区域，其中该第二气体中矽之浓度大于该第一蚀刻气体中矽之浓度；自该第一蚀刻气体及该第二气体中产生电浆；且电浆蚀刻该半导体基板之一暴露表面。