发明名称 | 有机半导体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种有机半导体元件的制造方法,此方法是在基底上依序形成闸极导体层与闸介电层。然后,在闸极导体层两侧的闸介电层上分别形成图案化金属层,接着,在各个图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成一电极改质层,其与所覆盖的图案化金属层构成一源极/汲极。之后,在二源极/汲极之间及其上方形成一有机半导体层,以做为一主动层。 | ||
申请公布号 | TW200807778 | 申请公布日期 | 2008.02.01 |
申请号 | TW095127931 | 申请日期 | 2006.07.31 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 黄良莹;林宗贤;郑翔远;胡堂祥 |
分类号 | H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |