| 摘要 |
本发明可获致一种具有记忆体单元之半导体装置及其制造方法，该记忆体单元包含记忆精度不会劣化之TMR膜。本发明之半导体装置，系于TMR下部电极28上，在俯视相当于数位线25d之形成区域其中一部分之区域中，选择性地形成有TMR元件5（TMR膜29、TMR上部电极31）。TMR上部电极31系藉由Ta并以30～100 nm之膜厚而形成，并于制程中作为硬遮罩使用。于TMR元件5之整个面以及TMR下部电极28之上表面上，形成由LT－SiN所形成之层间绝缘膜30，并覆盖包含TMR下部电极28之整个侧面，而形成由LT－SiN所形成之层间绝缘膜32。进而，覆盖整个面而形成由SiO2所形成之层间绝缘膜33。 |
