第III-V族氮化物半导体之制造方法及发光元件之制造方法METHOD FOR MAKING A III-V FAMILY MITRIDE SEMICONDUCTOR AND A METHOD FOR MAKING A LUMINESCENT ELEMENT

摘要

本发明提供第III－V族氮化物半导体之制造方法及发光元件之制造方法。第III－V族氮化物半导体之制造方法，依序包含步骤（i）、（ii）、以及（iii）。发光元件之制造方法，依序包含步骤（i）、（ii）、（iii）以及（iv）。其中步骤（i）系于基板上配置无机粒子之步骤、步骤（ii）系使半导体层生长之步骤、步骤（iii）系对基板与半导体层之间照射光线以分离基板与半导体层之步骤、步骤（iv）系形成电极之步骤。