具有抑制高横向电场之自我提升系统

摘要

于一用于快闪装置（例如，一NAND快闪装置）之经改良EASB程式化方案中，将分离（施加有一程式电压之）一所选字线与（施加有一隔离电压之）一隔离字线之字线数量调节为所选字线距汲极侧选择闸极距离之函数（例如，反函数），以在程式化较接近于该汲极侧选择闸极之字线时减小因隔离电晶体处或其附近处高垂直及横向电场所致之程式扰乱。该等所选及隔离字线较佳由两个或两个以上施加有中间电压之字线加以分离。