| 摘要 |
本发明揭露将应变导入非平面场效电晶体（例如鳍式场效电晶体或是三闸场效电晶体）的多晶矽闸极的技术，以将类似的应变施加在场效电晶体的通道区域，并且同时保护半导体鳍片的源极／汲极区域。尤其，保护帽盖层系形成在鳍片的源极／汲极区域上，以在接下来的非晶化离子植入的步骤中保护这些区域。鳍片在植入步骤中被进一步地保护，因为离子束会在和鳍片平行的一平面导向闸极并且与垂直轴倾斜。因此，鳍片的非晶化和损害将受到限制。接着，在植入步骤以及应变层形成之后，就进行再结晶退火使得应变层的应变「被记忆」在多晶矽闸极中。 |
