电子装置及其形成方法

摘要

针对调整半导体装置提出一种场效电晶体（FET）装置结构及形成FET之方法。特别地，以高度一致且可再现方式由主体半导体晶圆（相反于覆矽绝缘层（SOI）或布植氧加以分离（SIMOX）晶圆）制造FinFET装置。该方法有助于以改良及可再现鳍状物高度控制由容易取得之主体半导体基板形成FinFET装置，同时提供该FinFET装置之源极与汲极区域间之隔离。