半导体基底之制造方法

摘要

提供一种方法以抑制即使在不具氧化物膜之层压的晶圆中例如空隙或气泡之缺陷的发生，其中将氢离子植入主动层之表面不具氧化物膜的晶圆以形成氢离子植入层，及植入氢以外离子直至该氢离子植入表面端深度较该氢离子植入层浅的位置，且层压主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆，并接着于该氢离子植入层剥离主动层的该晶圆。