形成接触开口之方法

摘要

本发明针对形成接触开口（contact opening）之方法。在一个例示实施例中，该方法包括：在半导体基板之上形成特征；在该特征之上形成层叠，该层叠由复数个材料层所组成，该层叠具有一原始高度；减少该层叠之原始高度，以在该特征之上界定减少高度的层叠；对于将电性耦接至该特征的导电构件，形成开口于该减少高度的层叠中；以及在该减少高度的层叠中之开口中形成该导电构件。