发明名称 多层微影蚀刻方法
摘要 本发明系关于一种根据一形成于一第一抗蚀剂层10’上之图案化第二抗蚀剂层14’中所形成之一图案使该第一抗蚀剂层10’图案化的方法。首先至少部分热解一第一抗蚀剂材料10以形成一硬式遮罩抗蚀剂层10’。接着藉由一含矽基团(诸如藉由矽烷化)大体官能化该第一抗蚀剂层10’之一表面,以界定一含矽表面层12。接着(例如)根据形成于该第二抗蚀剂层中之该图案而乾式显影该第一抗蚀剂层10’(包括矽烷化表面层12)以在该硬式遮罩层10’中形成一相应图案。该图案化的第二抗蚀剂层14’可为例如约80nm至约100nm厚。
申请公布号 TW200807503 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW096121919 申请日期 2007.06.15
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 泰瑞 史巴克
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国