发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 本发明之一目的在于提供一种以低成本制造之具有优异可再生性的半导体装置。本发明提供一种半导体装置的制造方法,其包括步骤:形成第一电极于一基材上;形成一绝缘层于基材和第一电极上;对绝缘层进行压模,以于绝缘层中形成一开口;自其中形成有开口之绝缘层分离模;硬化其中形成有开口之绝缘层以形成一分隔壁;形成一发光层于第一电极和分隔壁上;以及形成第二电极于发光层上。奈米压印法系使用作为用于形成分隔壁之方法。绝缘层含有聚矽烷。由氧化矽膜形成之分隔壁系藉由UV光照射和加热而形成。
申请公布号 TW200807784 申请公布日期 2008.02.01
申请号 TW096120553 申请日期 2007.06.07
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 藤井照幸
分类号 H01L51/56(2006.01) 主分类号 H01L51/56(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本