发明名称 | 铜镶嵌制程 | ||
摘要 | 一种铜镶嵌制程,包含有提供一基底,该基底系包含有一介电层设于其表面、形成至少一铜镶嵌结构于该介电层内、对该基底进行一热处理以移除铜镶嵌制程残余之不纯物、以及对该铜镶嵌结构之表面进行一还原电浆处理以还原该铜镶嵌结构,达到改善铜镶嵌结构之目的。 | ||
申请公布号 | TW200807621 | 申请公布日期 | 2008.02.01 |
申请号 | TW095127506 | 申请日期 | 2006.07.27 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 赖国智;陈美玲;陈哲明;陈新兴;苏世芳;陈孟祺 |
分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |