| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de production d'un corps creux en silicium au moins partiellement poreux, comprenant les étapes de gravure anisotrope verticale, de porosification et de polissage électrique. L'invention concerne en outre des corps creux en silicium produits de cette manière, la paroi du corps comprenant une couche intérieure, une couche intermédiaire et une couche extérieure, et la porosité de la couche intermédiaire étant supérieure à celle des couches intérieure et extérieure. En outre, l'invention concerne l'utilisation des corps creux en silicium. |
