发明名称 Transistor mit Mehrstoffemitter
摘要 Alloys for use as the emitter electrodes in transitors (see Group XXXVI) are as follows: 99 per cent In and 1 per cent Ga; 99 per cent In, 1/2 per cent Ga, 1/2 per cent Al; 99 per cent In, 1 per cent Al; 95 per cent In, 5 per cent Ga; 95 per cent In, 2 1/2 per cent Ga, 2 1/2 per cent Al; 99 per cent Bi, 1 per cent Al; 98 per cent Tl, 2 per cent Ga; 96 per cent Pb, 3 per cent Ge, 1 per cent Al; 99 1/2 per cent Sn, 1/2 per cent Al; 60 per cent Pb, 26 1/2 per cent Sn, 10 per cent Bi, 3 per cent Ge, 1/2 per cent Ga; 94 per cent In, 5 per cent Ge, 1 per cent Ga; 99.9 per cent In, 0.1 per cent Al; 94.8 per cent In, 5 per cent Ge, 0.2 per cent Ga; 99 1/2 per cent In, 1/2 per cent Ga.
申请公布号 DE1036392(B) 申请公布日期 1958.08.14
申请号 DE1955N010247 申请日期 1955.02.23
申请人 N. V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN 发明人 TUMMERS LEONARD JOHAN;HAAYMAN PIETER WILLEM;JOCHEMS PIETER JOHANNES WILHELMUS;KOETS AUGUSTINUS ALOYSIUS ANTONIUS MARIA
分类号 B23K35/24;C22C11/00;C22C13/00;C22C28/00;H01L21/00;H01L21/24;H01L21/28;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/73;H01L31/08 主分类号 B23K35/24
代理机构 代理人
主权项
地址