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Es wird ein elektrisches Bauelement angegeben, in dessen kristallinem Halbleiterkörper mehrere CMOS-Transistoren in Hoch- oder Niedervolttechnik ausgebildet sind. Die einzelnen CMOS-Transistoren sind durch Isolationsgebiete voneinander getrennt. Auf einem Isolationsgebiet ist ein Dünnfilmtransistor ausgebildet, dessen Gate zusammen mit dem Gate der CMOS-Transistoren aus der gleichen Polysiliziumschicht realisiert ist. Das Gate-Oxid des Dünnfilmtransistors kann ebenso wie eine zweite Polysiliziumschicht für Source, Drain und Body des Dünnfilmtransistors zusammen mit bereits im CMOS-Prozess vorhandenen Strukturelementen erzeugt werden.
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