| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在SOI半导体基板中形成硅层图案，以限定有源区；利用栅极掩模对所述SOI半导体基板中的绝缘膜选择性地形成图案，以形成所述硅层图案下方的底切空间；以及形成栅极结构，所述栅极结构包括栅电极图案和形成于所述栅电极图案之上的栅极硬掩模层图案。所述栅电极图案包围所述硅层图案，从而填充所述底切空间。 | ||
| 申请公布号 | CN101114586A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200610167282.X | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 吴泰京 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在SOI半导体基板中形成硅层图案，以限定有源区，所述SOI半导体基板具有绝缘膜；利用栅极掩模对所述SOI半导体基板中的绝缘膜选择性地形成图案，以形成所述硅层图案下方的底切空间；以及形成栅极结构，所述栅极结构包括栅电极图案和形成于所述硅层图案之上的栅极硬掩模层图案，其中，所述栅电极图案包围所述硅层图案，以填充所述底切空间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||