半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种不因流程工序的增大而导致生产率的下降，且可形成微小直径的孔等的图形，并生产性良好地制造高集成度的半导体装置的半导体装置制造方法。在半导体晶片(100)上，SiC膜(101)、低K(Low-K)膜(102)、TEOS氧化膜(103)从下侧开始按此顺序形成。而且，在有机类反射防止膜(104)上，形成有形成规定的开口图形并由ArF抗蚀剂构成的掩膜层(105)。由图(a)的状态开始，通过掩膜层(105)对有机类反射防止膜(104)进行蚀刻处理，变成图(b)的状态时，为产生等离子体，通过使所施加的高频电力的施加电力发生变化，控制在反射防止膜(104)上形成的开口部的开尺寸。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：对处理气体施加具有第一频率的第一高频，产生所述处理气体的等离子体，将具有比所述第一频率低的频率的第二频率的第二高频，施加于被处理基板，以在所述被处理基板的表面上形成的具有规定开口部图形的抗蚀剂膜作为掩膜，对在所述抗蚀剂膜之下形成的被蚀刻层进行蚀刻，所述被蚀刻层是由有机材料构成的反射防止膜，在所述被蚀刻层和所述被处理基板之间形成有基底膜，对由所述有机材料构成的反射防止膜进行蚀刻后，将由该有机材料构成的反射防止膜及所述抗蚀剂膜作为掩膜，对露出来的所述基底膜进行蚀刻，使用含有碳氟化合物气体及氢气的蚀刻气体对所述基底膜进行等离子体蚀刻，通过使所述第一高频的施加电力变化，控制在所述被蚀刻层形成的开口部的开口尺寸。