| 发明名称 |
一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法 |
| 摘要 |
一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法，涉及一种制备铜铟硒纳米薄膜材料的工艺流程。本方法选择N，N－二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂，优选参数为：旋浮液浓度0.6mmol/L；低/高阶段旋涂转速与时间分别是500rpm/9s，5000rpm/30s；退火温度与时间为100度2小时。旋涂法不需要高温高真空，对仪器要求低，薄膜的生产成本低，有利于实现大规模的应用化生产。 |
| 申请公布号 |
CN101114679A |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
| 申请号 |
CN200610107970.7 |
申请日期 |
2006.07.25 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
吴科俊;郭国聪;邹建平;邹文强;黄锦顺 |
| 分类号 |
H01L31/18(2006.01);H01L21/208(2006.01);C03C17/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法，其特征在于：本方法选择N，N-二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂。 |
| 地址 |
350002福建省福州市杨桥西路155号中国科学院福建物质结构研究所 |
