| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。 | ||
| 申请公布号 | CN100365936C | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200410070224.6 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 畑山薰;炭田昌哉;岸下景介;沼道男 |
| 分类号 | H03K19/094(2006.01);H03K19/01(2006.01) | 主分类号 | H03K19/094(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗正云;宋志强 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，包括：包含逻辑电路和多个MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中逻辑电路的输出被输入到所述多个MOS晶体管的至少一个MOS晶体管的栅极，并且所述至少一个MOS晶体管的衬底电位将得到控制；用于衬底电位的控制信号生成电路，用来基于该逻辑电路的输入信号生成用于控制衬底电位的控制信号；和衬底电位控制电路，用来基于控制信号控制该作为控制目标的电路中的所述至少一个MOS晶体管的衬底电位。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||