| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种通过简单的工艺制造高质量半导体发光器件(110)的方法，该半导体发光器件(110)具有由均匀厚度的树脂形成的荧光层环绕并因而被其覆盖的半导体发光元件(101)。至少两个半导体发光元件(101)以预定的间隔结合到衬底(102)。随后，第一树脂(103)作为荧光层在衬底(102)的整个表面上基本上平行于半导体发光元件(101)的顶部表面成型，以覆盖半导体发光元件(101)。在第一树脂(103)固化后，第一树脂(103)至少部分被划割。 | ||
| 申请公布号 | CN101114689A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710149435.2 | 申请日期 | 2007.05.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 竹川浩 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，按照以下步骤制造：以预定的间隔将至少两个半导体发光元件结合到衬底和子基座其中之一；在所述衬底和所述子基座的所述其中之一的整个表面实质上平行于所述半导体发光元件的顶部表面成型第一树脂，以覆盖所述半导体发光元件；以及在所述第一树脂固化之后，划割并因而穿透所述第一树脂和所述衬底以提供在所述半导体发光元件的所述顶部表面和侧表面上分别具有厚度D1和厚度D2的所述第一树脂，使得D2/D1的比率为0.85到1.15。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||