| 发明名称 | 用于提高横向载流能力的半导体器件及方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一半导体器件；(c)在所述第一半导体器件上的N ILD(级间介质)层，其中N是大于1的整数；以及(d)与所述第一半导体器件电连接的导电线。所述导电线适于负载在平行于N ILD层的两个连续ILD层之间的界面表面的横向方向上的横向电流。所述导电线存在于N ILD层的至少两个ILD层中。所述导电线不包括适于负载在垂直于所述界面表面的垂直方向上的垂直电流的导电过孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101114632A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710139143.0 | 申请日期 | 2007.07.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 何忠祥;刘奇志;K·M·沃森;N·B·菲尔彻费尔德;王平川;B·雷尼 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：(a)衬底；(b)第一半导体器件，在所述衬底上；(c)NILD(级间介质)层，在所述第一半导体器件上，其中N是大于1的整数；以及(d)第一导电线，与所述第一半导体器件电连接，其中所述第一导电线适于负载在平行于NILD层的两个连续ILD层之间的界面表面的横向方向上的横向电流，其中所述第一导电线存在于NILD层的至少两个ILD层中，以及其中所述第一导电线不包括适于负载在垂直于所述界面表面的垂直方向上的垂直电流的导电过孔。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||